前言
近年來，消費類電源市場增速迅猛，一方面是 USB PD 快充實現了大規模普及，大功率以及高電壓輸出對 MOS 器件的耐壓、內阻等各維度性能提出了更高的要求。另一方面，隨着鋰電儲能應用的興起，市場對於鋰電保護 MOS、接口保護 MOS 等的需求也更為強烈。
南京江智科技有限公司（JESTEK）是一家專注於半導體功率器件設計生產與銷售的企業。擁有一支從業經驗15年以上的設計研發團隊，在南京紅楓工業園擁有完整的封裝測試工廠。
江智科技以功率器件為核心，掌握8英寸先進器件設計工藝，持續關注器件電性能提高以及產品的可靠性提高，江智科技通過 ISO9001，ISO14001 體系認證，與國際一流的芯片、封裝、測試代工廠保持密切的合作，保證產品的品質可靠和穩定供貨。
江智科技的產品以技術和市場的需要為導向，在中低壓MOS、超高壓產品市場中占有很大的份額，同時注重多元化發展投入，逐步介入並滲透到模擬器件領域。本次充電頭網為各位盤點一下江智科技 MOSFET 在快充市場的應用案例。
JST100N30D5G
江智科技推出的 JST100N30D5G 是一款 N溝道 MOS，耐壓 30V。在柵源極電壓 VGS 為 10V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 2.8mΩ（典型值 1.9mΩ）；在柵源極電壓 VGS 為 4.5V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 4.6mΩ（典型值 3.3mΩ），通過 100% UIS 測試。
江智科技 JST100N30D5G 最大柵源電壓 VGSS 為 ±20V；連續漏電流 ID 在 25℃ 下為 100A，在 100℃ 下為 63A；脈衝漏極電流最高 400A；單脈衝雪崩擊穿能量 EAS 為 25mJ；容許溝道總功耗 PD 為 42W；熱阻 RθJC 為 3℃/W。
江智科技 JST100N30D5G 採用 PDFN5*6-8L 封裝，工作溫度 -55℃~150℃，適用於 PWM 控制、負載開關、電源管理等應用場景。
應用案例：
1、拆解報告：德魯西20000mAh 100W雙向快充移動電源
JST80N30D3A
江智科技推出的 JST80N30D3A 是一款 N溝道 MOS，耐壓 30V。在柵源極電壓 VGS 為 10V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 5mΩ（典型值 3.5mΩ）；在柵源極電壓 VGS 為 4.5V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 7.5mΩ（典型值 6.7mΩ）。
江智科技 JST80N30D3A 最大柵源電壓 VGSS 為 ±20V；連續漏電流 ID 為 55A；脈衝漏極電流最高 220A；單脈衝雪崩擊穿能量 EAS 為 35mJ；容許溝道總功耗 PD 為 85W；熱阻 RθJC 為 3.5℃/W。
江智科技 JST80N30D3A 採用 PDFN3.3x3.3-8L 封裝，工作溫度 -55℃~150℃，適用於 PWM 控制、負載開關、電源管理等應用場景。
應用案例：
1、拆解報告：GADMEI 100W 2C1A雙向快充移動電源
JST60N30D5G
江智科技推出的 JST60N30D5G 是一款 N溝道 MOS，耐壓 30V。在柵源極電壓 VGS 為 10V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 7.5mΩ（典型值 5.2mΩ）；在柵源極電壓 VGS 為 4.5V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 10.2mΩ（典型值 7.5mΩ），通過 100% UIS 測試。
江智科技 JST60N30D5G 最大柵源電壓 VGSS 為 ±20V；連續漏電流 ID 在 25℃ 下為 60A，在 100℃ 下為 38.5A；脈衝漏極電流最高 240A；單脈衝雪崩擊穿能量 EAS 為 64mJ；容許溝道總功耗 PD 為 41W；熱阻 RθJC 為 3℃/W。
江智科技 JST60N30D5G 採用 PDFN5*6-8L 封裝，工作溫度 -50℃~150℃，適用於 PWM 控制、負載開關、電源管理等應用場景。
應用案例：
1、拆解報告：德魯西20000mAh 100W雙向快充移動電源
JST60N30D3G
江智科技推出的 JST60N30D3G 是一款 N溝道 MOS，耐壓 30V。在柵源極電壓 VGS 為 10V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 6mΩ（典型值 4.8mΩ）；在柵源極電壓 VGS 為 4.5V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 12mΩ（典型值 7.1mΩ），通過 100% UIS 測試。
江智科技 JST60N30D3G 最大柵源電壓 VGSS 為 ±20V；連續漏電流 ID 在 25℃ 下為 60A，在 100℃ 下為 38A；脈衝漏極電流最高 240A；單脈衝雪崩擊穿能量 EAS 為 34mJ；容許溝道總功耗 PD 為 35.7W；熱阻 RθJC 為 3.5℃/W。
江智科技 JST60N30D3G 採用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封裝，工作溫度 -50℃~150℃，適用於 PWM 控制、負載開關、電源管理等應用場景。
應用案例：
1、拆解報告：安能科技超迷你30W氮化鎵充電器
2、拆解報告：UOCO. 45W雙USB-C氮化鎵充電器
JST60P30D3
江智科技推出的 JST60P30D3 是一款 P溝道 MOS，耐壓 -30V。在柵源極電壓 VGS 為 -10V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 7.5mΩ（典型值 5.8mΩ）；在柵源極電壓 VGS 為 -4.5V 下，導通電阻 RDS(on) 不超過 12.6mΩ（典型值 9.0mΩ）。
江智科技 JST60P30D3 最大柵源電壓 VGSS 為 ±20V；連續漏電流 ID 在 25℃ 下為 -45A，在 100℃ 下為 -29A；脈衝漏極電流最高 -180A；單脈衝雪崩擊穿能量 EAS 為 75.7mJ；容許溝道總功耗 PD 為 23W；熱阻 RθJC 為 5.4℃/W。
江智科技 JST60P30D3 採用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封裝，工作溫度 -55℃~150℃，適用於 PWM 控制、負載開關、電源管理等應用場景。
應用案例：
1、拆解報告：德魯西20000mAh 100W雙向快充移動電源
JST20P30D3
江智科技推出的 JST20P30D3 是一款 P溝道 MOS，耐壓 -30V。在柵源極電壓 VGS 為 -10V 下，導通電阻 RDS(on) 小於 11mΩ；在柵源極電壓 VGS 為 -4.5V 下，導通電阻 RDS(on) 小於 18mΩ。
江智科技 JST20P30D3 最大柵源電壓 VGSS 為 ±20V；連續漏電流 ID 在 25℃ 下為 -35A，在 100℃ 下為 -23A；脈衝漏極電流最高 -140A；單脈衝雪崩擊穿能量 EAS 為 78.8mJ；容許溝道總功耗 PD 為 21.5W；熱阻 RθJC 為 5.8℃/W。
江智科技 JST20P30D3 採用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封裝，工作溫度 -55℃~150℃，適用於 PWM 控制、負載開關、電源管理等應用場景。
應用案例：
1、拆解報告：德魯西20000mAh 100W雙向快充移動電源
充電頭網總結
小型化，大功率，低功耗始終是消費類產品發展的不變的追求和趨勢，因此高密度高集成也就成了各個芯片設計公司以及客戶孜孜不倦予以突破的技術瓶頸。在 USB PD 技術各種應用領域中 MOSFET 無疑承擔了主要的功率分配，也是高密度高集成產品能否實現的核心器件。
面對持續增長的消費類電源市場，南京江智科技已推出數百款針對不同應用場景的 MOSFET 功率器件，為電源廠商的產品開發提供一站式 MOSFET 解決方案，滿足電源廠商的多樣化需求。
相關閱讀：
1、江智科技參加2020（秋季）USB PD＆Type-C亞洲展，展位號C04
「電源芯片」
南芯、英集芯、智融、茂睿芯、必易微、美芯晟、傑華特、華源、硅動力、富滿雲矽、芯海、天德鈺、貝蘭德、力生美、創芯微、穩先微、寶礫微、東科、易沖、拓爾微、恆成微、Elevation
「被動器件」
特銳祥、貝特、沃爾德、柏瑞凱、金瑞
「氮化鎵」
納微、英諾賽科、聚能創芯、能華、威兆、鎵未來、微碩
「快充工廠」
航嘉、古石、酷科、鵬元晟、瑞嘉達、天寶、田中精機
「品牌專區」
蘋果、華為、mophie、綠聯、航嘉、公牛、TRÜKE充客、機樂堂、愛國者、魔棲、TECLAST台電、圖拉斯、Mcdodo麥多多、MOMAX
商務合作聯繫：info@chongdiantou.com
留言列表