3nm製程芯片已經開始量產,2nm將於2025年試產,接下來的1nm將是納米時代的最後一個節點,為此,業界龍頭企業和機構都在摩拳擦掌。

作者:暢秋

2022年,半導體業進入了3nm製程量產階段,上半年,三星宣布量產3nm芯片,但客戶和產量很有限,下半年,台積電也開始量產3nm芯片,但也只限於蘋果的一部分新手機處理器,與三星類似,台積電也沒有在第一年實現大規模量產。3nm製程芯片產量如何,就要看三星和台積電2023年升級版本的性能和良率表現了。

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

昨天,李蓓在中金財富做了一場面向中金財富同事和高淨值客戶的網上路演。

今天有一份不知道來源的紀要在市場上流傳,感謝大家對半夏的關注,但是這份紀要多處有偏差,某些字句基本是理解反了。

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()


鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

本周,又有一個重磅級項目出場,望京北的明星款新盤,「首開金茂望京樾」。政府指導價8.5w/平,附贈金茂科技精裝,售樓處剛剛亮相,現場熱度就爆滿。

這幾年的望京,已經超越了CBD,成為北京標杆性的區域和房價的價值高地。甚至整個北部區域的房價,都和望京掛鈎。

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

點擊藍字關注我們

在全無機鈣鈦礦中,CsPbI2Br具有優異的熱穩定性、合適的帶隙,在單結鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)和鈣鈦礦/有機疊層太陽能電池(TSCs)方面顯示出很好的應用前景。目前,在高效率鈦礦太陽能電池中使用最多的空穴傳輸層材料是spiro-OMeTAD。然而,在CsPbI2BrPSCs中,由於CsPbI2Br的價帶與spiro-OMeTAD的HOMO能級之間的較大的能量差導致了較大的開路電壓損失。此外,spiro-OMeTAD中的具有揮發性和吸濕性摻雜劑會降低器件的穩定性。因此,使用無摻雜空穴傳輸材料對於進一步提升CsPbI2BrPSCs的效率和穩定性具有重要意義。

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

點擊藍字關注我們

當前以硅基薄膜作為鈍化接觸結構的異質結(HJT)和隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽電池均已突破26%的轉換效率。但這兩種電池技術採用的摻雜硅薄膜存在較嚴重的寄生光學吸收且設備成本較高,限制了晶體硅(c-Si)電池效率的進一步提升。基於寬帶隙金屬化合物的免摻雜鈍化接觸c-Si異質結太陽電池可減少寄生光學吸收且製備工藝簡單,具有降本增效的巨大潛力,是近年來高效c-Si電池研究領域的熱點。但當前免摻雜鈍化接觸晶硅電池的最高效率仍不足24%,主要原因為基於寬帶隙金屬化合物結構的鈍化性能仍需要進一步提升。HJT或TOPCon中優異的鈍化層工藝難以直接應用於新型免摻雜鈍化接觸c-Si異質結太陽電池。因此,探索適用免摻雜鈍化接觸c-Si異質結太陽電池的鈍化方案,提升器件載流子選擇性,是突破其性能提升瓶頸的重要挑戰。

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()

點擊藍字關注我們

迄今為止,以最初的高熵合金和隨後的高熵氧化物為代表的大量高熵材料已被應用於電化學儲能和催化等領域。然而,高熵納米普魯士藍類似物(PBA) 尚未引起鋰硫 (Li-S) 電池材料領域的關注。過去將 PBA 作為Li-S電池中的硫主體的研究較少,事實上,PBA作為Li-S電池的載體材料具有以下優點。首先,作為路易斯酸位點,金屬中心與帶負電的多硫化物陰離子具有良好的親和力,從而防止多硫化鋰的穿梭。其次,開放的框架結構可以通過孔限制效應來固定多硫化鋰,並且緩解電池循環過程中的體積變化。第三,由於結構穩定,PBA的幾何形狀在離子插入過程中幾乎沒有變化,這進一步緩解了容量衰減問題。第四,這些化合物是通過使用水作為溶劑的簡便且廉價的共沉澱方法構建的。最後,PBA是高度可調的,可以形成高熵材料,為實現優異的Li-S電池正極材料提供了更多可能。
在此,揚州大學龐歡教授團隊構建了從二元到高熵的PBA 庫,探究了不同金屬引入對配位環境、多硫化鋰轉化機理以及Li-S電池性能的影響。第一作者:博士研究生杜夢。該團隊基於五種金屬陽離子(Mn2+、Co2+、Ni2+、Cu2+和Zn2+)和K3[Fe(CN)6],通過簡便的共沉澱法成功合成了 16 種具有均勻立方或球狀形貌的二元到高熵的PBA(圖1)。

鑽石舞台 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣()