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Multi-Bandgap Monolithic Metal NanowirePercolation Network Sensor Integrationby Reversible Selective Laser‑Induced Redox
Junhyuk Bang, Yeongju Jung, Hyungjun Kim, Dongkwan Kim, Maenghyo Cho, Seung Hwan Ko*
Nano-Micro Letters (2022)14: 49
https://doi.org/10.1007/s40820-021-00786-1
本文亮點
1. 通過可逆選擇性激光誘導氧化還原(rSLIR) 的方式成功製備了三單相 Cu、Cu₂O和 CuO 單片納米線網絡。
內容簡介
有源電子元件通常由半導體和金屬電極組成,通過多個真空沉積和光刻圖案化步驟進行連接。然而,半導體和金屬電極之間存在的異種材料界面會導致電接觸和機械故障等方面的問題。首爾國立大學Seung Hwan Ko教授課題組開發了一種以整體無縫方式製造有源電子元件的新方法,其中金屬和半導體都可以由相同的整體材料製備得到,而無需通過可逆選擇性激光誘導氧化還原(rSLIR)方法產生半導體-金屬界面。此外,rSLIR可以通過控制過渡金屬 (Cu) 的氧化態,從而製備具有兩種不同帶隙狀態的半導體(Cu₂O和CuO,其帶隙分別為2.1和1.2 eV),這可能使多功能傳感器具有來自相同材料的多個帶隙。這種新方法可以實現單相Cu、Cu₂O和CuO的無縫集成,同時通過簡單的激光照射實現氧化態之間的可逆及選擇性轉換。此外,本文所製造的單片金屬-半導體-金屬多光譜光電探測器可以對多個波長信號進行相應檢測。rSLIR工藝獨特的單片特性可以為下一代電子製造提供新的思路以克服傳統光刻方法的限制。
圖文導讀
本文利用連續激光(532 nm波長)照射,通過CuNW網絡濕氧化法製備得到Cu₂ONW網絡(黃色),而激光誘導的光熱可以根據環境選擇性地氧化或還原並形成CuONW(黑色),另外當還原劑包圍Cu₂ONW網絡時,激光掃描會選擇性地還原為CuNW(紅色)。rSLIR通過無縫接口實現CuNW、Cu₂ONW和CuONW的按需圖形化製備。新的CuNW、Cu₂ONW和CuONW圖案化工藝與之前的工藝相比具有明顯的優勢,包括(1)單個氧化態之間的整體無縫界面,(2)無掩膜原位工藝,以及(3)低溫和環境條件工藝。

II 單片CuNW、Cu₂ONW和CuONW網絡的rSLIR

III rSLIR控制可逆氧化狀態

IV 多光譜光電探測器集成
可見光光電探測器是一種基本的光電器件,其簡單的金屬-金屬氧化物-金屬(MSM)結構可以取代堆疊層光電探測器。由於用於產生光電流的光波長的閾值是根據金屬氧化物的帶隙來確定的,因此可以通過使用具有不同帶隙的多帶隙Cu₂ONW和CuONW檢測通道來製造具有不同波長閾值的可見光光電探測器。本工作通過rSLIR製備了三種類型的光電探測器,它們的響應隨波長和強度的變化而相應變化。

作者簡介
本文通訊作者
可拉伸/柔性電子、透明電子、軟機器人、可穿戴電子、激光輔助納米/微加工和裂紋輔助納米製造。
▍個人簡介
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撰稿:《納微快報(英文)》編輯部
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