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背景介紹

自石墨烯的成功製備以來,二維層狀材料 (2D layered materials,2DLM) 被認為是實現下一代光電子器件的最有前景的半導體材料體系之一,由於其具有優異的柔性、顯著的量子效應、可通過厚度/應變調控的物理性質、無懸掛鍵的表面以及易集成性等眾多優點。

迄今為止,已有上百種 2DLMs 被發展用於光電探測研究並且取得了許多令人鼓舞的進展,但是,2DLM 光電探測器的相關研究仍面臨着一些難以克服的挑戰。

首先,2DLM 的原子級的厚度導致其光吸收極低。科學家與工程師已經探索了一系列的光學納米/微米結構來增強其與光的耦合。然而,相關技術仍存在着成本高、工藝複雜、增強係數低等不足。
2DLM 光電探測器的另一項挑戰是其激子束縛能高、光生載流子壽命短。在前期的探索中,研究人員發展了量子點修飾技術用於實現光生電子-空穴對的高效分離以進行性能改進。然而,由於量子點內的光生載流子的脫捕獲過程較長,這導致使用量子點修飾的 2DLM 光電探測器通常具有響應速率慢的缺點。
此外,由於比表面積大,量子點的表面能較高,這使其會自發地團聚與退化。因此,通過量子點修飾改進 2DLM 光電探測器性能的方案的長期穩定性也成為實際應用中的一個額外難題。
除了上述挑戰以外,2DLM 器件研究的一個持續性難題是缺乏可靠的合成技術來實現器件陣列的集成,這是工業生產與應用的先決條件。迄今,製備晶圓級高質量 2DLMs 的相關研究進展仍然較少。
文章簡介

針對上述難題,中山大學材料科學與工程學院姚健東副教授、楊國偉教授以及湖南師範大學物理與電子科學學院歐陽鋼教授合作提出了一種新型的多功能耦合器件結構【即 out-of-plane 2DLM / in-plane 2DLM,O-2DLM / I-2DLM,本文以 O-SnS/I-ZnIn2S4 (ZIS) 為具體研究對象】並基於脈衝激光沉積 (pulsed-laser deposition, PLD) 技術實現了其大面積的可控制備。

圖 1. O-SnS/I-ZIS 的製備與表徵

Fig. 1 (a) Experimental setup and preparation procedures. (b) SEM of ZIS. (c–d) SEM images of SnS/ZIS. (e) XRD patterns. (f) Raman spectra. (g) PL spectra.

通過系統的對比實驗發現,ZIS 的後退火處理形成的粗糙表面能夠增加表面原子遷移的勢壘,是誘導 SnS 納米片沿面外生長的關鍵。隨後,系統研究了 O-SnS/I-ZIS 的光學與光電特性。

圖 2. O-SnS/I-ZIS 的光學與光電特性

Fig. 2 (a) Absorption spectra. (b) Reflection spectrum. (c) Schematic of a SnS/ZIS photodetector. (d–i) Responsivity upon various illuminations. (j–l) A summary of responsivity, EQE and detectivity of the ZIS and SnS/ZIS photodetectors.

一方面,沿面外生長的豎直 SnS 納米片能夠引起入射光的多重散射,從而導致顯著的陷光效應並大幅增加器件的光吸收。此外,O-SnS 納米片的高載流子遷移率促進了光生載流子的層間輸運。另外,SnS 與 ZIS 形成 II 型能帶排列,進一步促進了光生電子-空穴對的空間分離。

另一方面,沿面內取向結晶的 ZIS 為光生載流子的巡遊提供了高速通道。第一性原理計算揭示,該輸運效率還能夠通過與 SnS 的耦合而引起的 ZIS 的能帶重構而得到進一步的提升。進一步的研究發現,O-SnS 與 I-ZIS 的強層間耦合導致了高效的帶間躍遷,這使得器件的有效光學窗口拓展至紅外波段,使其有望應用於光通信領域。

圖 3. O-SnS/I-ZIS 光電探測器的機理研究

Fig. 3 UPS spectra of (a–b) ZIS and (c–d) SnS. (e) Working mechanisms of the O-SnS/I-ZIS photodetector.

圖 4. 光學性質與輸運性質的理論研究

Fig. 4 (a) Absorption of ZIS and SnS/ZIS. (b) Dependence of absorptance on the array periodicity of SnS nanosheets. (c) Side view of SnS/ZIS. (d) Photocurrent. (e) Plane-averaged charge density difference along the vacuum direction. (f) Charge density difference. (g)I-Vcharacteristics and (h–i) transmission spectra.  

最後,利用 PLD 的大面積沉積特性初步實現了器件陣列 (14×14) 的集成並基於 O-SnS/I-ZIS 光電探測器展示了概念驗證的光電成像應用。

圖 5. 器件陣列的製備、光電成像應用及穩定性研究

Fig. 5 (a) Digital photograph of a SnS/ZIS wafer and (b) a device array. (c–f) Photocurrent, responsivity, EQE and detectivity of 196 SnS/ZIS photodetectors. (g) The experimental configuration for imaging. (h) Imaging result. (i) Photoswitching curves of a SnS/ZIS photodetector right after fabrication and after storage. (j) 100 on/off cycles.

總而言之,該項研究提出了一種能夠集成多重增益效應的多功能耦合異質器件結構,它是對傳統的范德華異質結的補充,對於實現下一代高性能光電器件具有重要的指導意義。

相關研究成果以「High-performance hierarchical O-SnS/I-ZnIn2S4 photodetectors by leveraging the synergy of optical regulation and band tailoring」為題發表於英國皇家學會知名材料期刊 Materials Horizons,併入選為期刊內封底文章(Inside back cover)。中山大學材料科學與工程學院碩士生葉俏珏以及湖南師範大學物理與電子科學學院博士生徐德高、蔡彪為本文共同第一作者,姚健東副教授與歐陽鋼教授為本文通訊作者,楊國偉教授對本研究工作作出重要指導。

論文信息
High-performance hierarchical O-SnS/I-ZnIn₂S₄photodetectors by leveraging the synergy of optical regulation and band tailoring
Qiaojue Ye, Degao Xu, Biao Cai, Jianting Lu, Huaxin Yi, Churong Ma, Zhaoqiang Zheng, Jiandong Yao,*(姚健東, 中山大學), Gang Ouyang*(歐陽鋼, 湖南師範大學) and Guowei Yang
Materials Horizons, 2022https://doi.org/10.1039/D2MH00612J

主要作者簡介
葉俏珏 碩士研究生

中山大學

葉俏珏,現就讀於中山大學材料科學與工程學院,碩士研究生,主要從事於二維材料的合成及其光電器件應用研究。

徐德高 湖南師範大學

博士研究生

徐德高,現就讀於湖南師範大學物理與電子科學學院,博士研究生,主要從事二維三元化合物的光電特性以及電子輸運的研究。徐德高,現就讀於湖南師範大學物理與電子科學學院,博士研究生,主要從事二維三元化合物的光電特性以及電子輸運的研究。

蔡彪 湖南師範大學

博士研究生

蔡彪,現就讀於湖南師範大學物理與電子科學學院,博士研究生,主要從事 TMD基混合維度范德華異質結光電性質調控的鍵弛豫理論研究。

通訊作者
姚健東 副教授

中山大學

姚健東,副教授,中山大學材料科學與工程學院百人計劃青年學術骨幹。長期從事於新型二維材料的合成及其光電器件應用與機理分析研究。以一作/通訊作者身份在 Prog. Mater.Sci.、Mater. Horiz.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater.、Nano Today、Adv. Sci.、Small、Small Methods、Appl. Phys. Lett.、Nanoscale 等國際學術期刊發表多篇學術論文,總引用 3000 余次。

歐陽鋼 教授

湖南師範大學

歐陽鋼,教授,博士生導師,從事光電材料與器件的理論與計算研究,在 Chem. Rev.、J. Am. Chem. Soc.、Nano Lett.、Light Sci. Appl.、Appl. Surf. Sci.、Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B、New J. Phys.、J. Phys. Chem. C 等期刊發表學術論文 120 余篇。

相關期刊
Urgent short reports of exceptionally high quality & innovative materials science

rsc.li/materials-horizons

Mater. Horiz.
2-年影響因子*15.717分5-年影響因子*16.152分最高 JCR 分區*Q1 材料-綜合CiteScore 分†19.2分中位一審周期‡36天


Materials Horizons 是材料科學領域的領導性期刊,發表高質量、高創新性的研究成果。該期刊側重於原創性研究,強調所發表的論文要提出新的概念或新的思維方式(概念上的進展),而不是以報道技術方面的進展為主。當然,在概念上未有創新但實現了突破性進展的傑出工作(例如材料性能突破已有紀錄)也有被發表的機會。另外,該刊要求所發表的論文能引起材料科學各領域讀者的廣泛興趣。

Chair

Martina Stenzel🇦🇺 新南威爾士大學

Scientific editors

Bruno Chaudret🇫🇷 圖盧茲大學

Jean-Luc Bredas🇺🇸 美國亞利桑那大學

Guoping Chen (陳國平)🇯🇵 日本國立材料科學研究所

Kisuk Kang🇰🇷 首爾國立大學

Norbert Koch🇩🇪 柏林洪堡大學

Thuc-Quyen Nguyen🇺🇸 加州大學聖塔芭芭拉分校

Roisin Owens🇬🇧 劍橋大學

Xun Wang (王訓)🇨🇳 清華大學

Yi Long (龍禕)🇸🇬 南洋理工大學

Editorial board members

Lei Jiang (江雷)🇨🇳 北京航空航天大學

Mark Thompson🇺🇸 南加州大學

Shu Yang (楊澍)🇺🇸 賓夕法尼亞大學

* 2021 Journal Citation Reports (Clarivate, 2022)†CiteScore 2021 by Elsevier‡中位數,僅統計進入同行評審階段的稿件





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