鑽石舞台

近日，蘇州晶湛半導體有限公司（以下簡稱"晶湛半導體"）發布了其面向Micro LED顯示產業應用的全彩系列外延片產品-Full Color GaN，新品外延片尺寸成功拓展至300mm。

據晶湛半導體介紹，Full Color GaN是硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，具有更大的晶圓尺寸（200mm-300mm）和更好的表面質量，對提升LED芯片良率具有獨特優勢。此外，通過採用200mm/300mm FAB中先進的硅基芯片工藝製程，外延片可製備高性能的微型（5µm2）Micro LED像素陣列，並可與Si CMOS驅動進行高良率的混合集成。

通過採用應力工程和極化工程等專利技術，晶湛半導體的Full Color GaN全彩系列產品成功克服外延生長高效率紅光LED的難題。

晶湛半導體Full Color GaN全彩系列產品

另外，晶湛半導體指出，波長均勻性是實現Micro LED顯示的關鍵因素，而Full Color GaN全彩系列產品在整個200mm晶圓上具有出色的波長均勻性（圖 3），而且藍光LED晶圓尺寸最大可以到300mm，並具有優異的波長均勻性，全片標準偏差小於2nm（圖4）。

圖3: 晶湛半導體200mm Full Color GaN全彩系列LED外延片波長分布圖

圖4: 晶湛半導體300mm 硅基氮化鎵藍光LED外延片波長分布圖

在缺陷密度方面，晶湛半導體則表示，Full Colar GaN系列產品的表面缺陷密度可以控制在0.1/c㎡以內，即使像素尺寸微縮至2µm x 2µm（陣列：100 x 100），所有像素點依然都可點亮。

(像素尺寸: 50µm, 15µm, 5µm, 2µm)

圖6: 基於Full Color GaN全彩系列外延片開發的Micro-LED陣列

晶湛半導體創始人兼總裁程凱博士表示，對於Micro LED的單片集成而言，將RGB三種顏色集成到氮化鎵的單一材料平台中是非常關鍵的一步。Full Color GaN全彩系列外延片將初步滿足業界對AR/MR系統的要求。300mm硅基氮化鎵外延片將推動GaN光電器件、GaN電子器件與硅器件的異構集成的發展，具有廣闊的應用前景。

資料顯示，晶湛半導體成立於2012年3月，擁有先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力於為電力電子、射頻電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案。

除在應用於微顯示的外延片取得研發進展外，2021年，在應用於功率器件的GaN外延片方面，晶湛半導體成功攻克12英寸(300mm)無裂紋 GaN-on-Si外延技術，成功覆蓋200V、650V、1200V等不同擊穿電壓應用場景需求，厚度不均勻度減小至 0.3%，晶圓翹曲Bow。

另值得注意的是，今年3月份，晶湛半導體宣布完成B+輪數億元戰略融資，由歌爾股份控股子公司歌爾微電子領投，高瓴創投、惠友資本、創新工場等企業加碼跟投。本輪融資資金將主要用於晶湛半導體總部和研發中心建設。