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銫鉛鹵化物(CsPbX₃)鈣鈦礦材料由於其優異的熱穩定性和光電特性近年來已經引起了極大的關注。其中,CsPbI₂Br具有良好的相穩定性和適當的光收,顯示出最有希望的光伏應用。然而,它的研究進展遠遠滯後於常規,由於較大的開路電壓(Voc)損耗,其效率約為15%相對較低。因此,迫切需要研究有效的策略來抑制開路電壓損耗的問題。

Effective Surface Treatment for High-Performance Inverted CsPbI₂Br Perovskite Solar Cells with Efficiency of 15.92%
Sheng Fu, Xiaodong Li, Li Wan, Wenxiao Zhang, Weijie Song, Junfeng Fang*
Nano‑Micro Lett.(2020)12:170
https://doi.org/10.1007/s40820-020-00509-y
本文亮點
1. 提出了一種簡單且多功能的表面處理策略,以解決CsPbI₂Br反鈣鈦礦型太陽能電池性能差的問題。
2. 誘導離子交換可以調整能級,鈍化GBs和表面,提供抵抗外部侵蝕的堅固保護。
3. CsPbI₂Br反鈣鈦礦電池顯示出15.92%的最佳效率,並且在潮濕,工作和熱老化後仍具有出色的穩定性。
內容簡介
中國科學院寧波材料技術與工程研究所宋偉傑團隊針對銫鉛鹵化物(CsPbX₃)太陽能電池效率低的問題,提出了一種簡單多功能的表面處理策略,經過優化的太陽能電池在Voc為1.223 V的情況下顯示出15.92%的最佳效率,且耐濕性和操作性得到了顯着提升。
圖文導讀
圖1a為薄膜的XRD圖,均具有相似的立方相結構。當增大(110)晶面時,隨着FABR濃度的增加,峰逐漸向低角度移動,經10 mg/mL FABR處理的膜與8mg/mL處理的膜具有類似衍射峰。紫外—可見吸收光譜(圖1b) 由於離子交換,表現出一致的紅移吸收(帶隙減小)。圖1c、d可以看出處理後薄膜的費米能級(Ef)和價帶最大值(VBM)都向高能方向移動,從而降低了界面能損失,增加了器件的內置電場。因此,可以推斷高溫FABr表面處理可以誘導FABr與CsPbI₂Br膜之間的離子交換,抑制反鈣鈦礦電池中較高Voc所帶來的界面能損失。
用SEM研究了各種FABr濃度處理後的形貌變化(圖2a、b)。隨着處理濃度的增加,沉澱逐漸覆蓋表面,當濃度為8 mg/mL時,表面幾乎被完全覆蓋。同時,進行了時間飛行二次離子質譜法(TOF-SIMS)的深度剖析(圖 2c、d)分析了元素的垂直分布。對應於離子交換的AX和EDS分析,Ref膜的所有元素均表現出相似的分布,而8F CsPbI₂Br膜則顯示了富Br和富FA的表面,Pb和I元素減少,這將產生CsPbI₂具有有效的鈍化和保護作用。此外,我們製造了具有Au/CsPbI₂Br/Au(15 nm)/ITO結構的器件,以檢查內置電場。如圖2f所示,結果表明處理過的薄膜在黑暗條件下具有非歐姆I-V電壓,在1個陽光照射下的Voc為0.174 V,具有光伏性能。因此,FA⁺離子的梯度分布可以感應出如圖2g所示的內建電場 ,這可能會加速光生載流子的傳輸。為了研究處理後載流子傳輸動力學的影響,進行了穩態光致發光(PL)光譜和時間分辨PL(TRPL)光譜。如圖2h所示,處理過的薄膜的PL峰顯示出紅移,其由FA⁺取代成CsPbI₂Br晶格組成。另外,處理過的膜具有淬滅的PL強度。
圖2. SEM圖像的俯視圖和橫截面圖(內部)(a) Ref;(b) 8F CsPbI₂Br。TOF–SIMS (c) Ref;(d) 8F CsPbI₂Br。(e) 暗I-V圖的空穴型鈣鈦礦裝置。(f) ITO/Au/perovskite/Au結構的器件在暗光和陽光下的I-V曲線。(g) 誘導梯度能帶結構促進了光生載流子的輸運的示意圖。Ref、4F、8F膜的(h) PL和(i) TRPL圖。


作者簡介
宋偉傑研究員
本文通訊作者
新能源技術、功能材料與納米器件;高效硅基薄膜太陽電池技術、透明導電膜技術、薄膜器件光管理技術、光電新材料技術。
▍主要研究成果
▍Email:weijiesong@nimte.ac.cn
▍個人主頁
撰稿:《納微快報》編輯部
編輯:《納微快報》編輯部
Nano-Micro Letters《納微快報》是上海交通大學主辦、Springer Nature合作開放獲取(open-access)出版的英文學術期刊,主要報道納米/微米尺度相關的高水平文章(research article, review, communication, commentary, perspective, letter, highlight, news, etc),包括微納米材料的合成表徵與性能及其在能源、催化、環境、傳感、吸波、生物醫學等領域的應用研究。已被SCI、EI、SCOPUS、DOAJ、CNKI、CSCD、知網、萬方、維普等數據庫收錄。2019 JCR影響因子:12.264。在物理、材料、納米三個領域均居Q1區(前15%)。2019 CiteScore:12.9,材料學科領域排名第4 (4/120)。中科院期刊分區:材料科學1區TOP期刊。全文免費下載閱讀(http://springer.com/40820),歡迎關注和投稿。
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