鑽石舞台

高效、高頻GaN功率器件未來有望在數據中心/光伏/電動汽車等領域加速滲透。GaN功率器件需求快速提升，根據Yole、IHS和Navitas，2026年市場規模有望達21億美元，主要受益於轉換器效率提升趨勢及大功率PSU在消費電子、數據中心等領域加速滲透等。集成化GaN功率IC對電路布局進行優化，增加產品穩定性和可靠性，同時相較於GaN晶體管和Si功率器件更高效、高頻、低成本；我們認為GaN功率IC遠期有望在多下游應用領域迎來更多使用場景。

技術迭代催化下游拓展，公司受益於GaN滲透率與高景氣下游雙重驅動。公司GaN功率IC技術全球領先，具有技術優勢及先發優勢，客戶粘性高，競爭優勢穩固。供應鏈來看，公司切入大客戶供應鏈體系，我們認為有利於與客戶協同迭代技術，助力業績增長：1）與頭部客戶合作有望加速技術迭代升級，進一步築牢技術優勢，逐步遷移技術至門檻更高的應用；2）客戶粘性較高，切入頭部客戶有利於貢獻長期增量，此外與龍頭合作的示範效應有利於長尾客戶的拓展。應用端來看，得益於GaN加速滲透，疊加公司產品迭代與成本降低，有望於多下游應用中逐步替代Si器件。

他山之石：技術創新，客戶協同，中國機遇。復盤Navitas借鑑意義包括：1）技術創新：持續的研發投入與技術創新有望幫助公司構築長期競爭力，打開更大成長空間；2）客戶協同：與頭部客戶合作有望助力公司持續迭代技術並遷移至其他領域，此外受益於龍頭合作示範效應有望進入更多長尾客戶；3）中國機遇：中國為全球半導體主要市場，抓住中國市場發展機遇有望迅速提升競爭力。

產品研發速度、認證與推廣不及預期；產能受限；出口限制和限制貿易和投資的法律風險；下遊行業增速及GaN滲透率提升不及預期。

Navitas Semiconductor（NVTS.O）是一家成立於2013年，專注於提供高性能、高效率、優成本的氮化鎵功率集成電路的設計、開發和銷售企業。該公司產品主要涵蓋GaN功率IC，截至2021年12月已被超過170種充電器採用，另有240餘種處於研發狀態。公司產品被廣泛應用在消費電子領域，根據Navitas，未來GaN產品有望應用於光伏和電動汽車等領域，客戶目前覆蓋三星、戴爾、聯想、LG、小米、華為、OPPO、亞馬遜等龍頭企業。公司於2021年10月與Live Oak Acquisition Corp. II（「LOKB」）完成合併上市，截至4Q21實現收入2374萬美元，同比增長100%，截至2021年12月，公司員工為162人，其中研發人員超過98人，碩士及博士占比超過55%。

圖表：Navitas發展歷程

資料來源：公司公告，中金公司研究部

主營業務：全球領先氮化鎵功率芯片公司

公司將氮化鎵功率晶體管和驅動、控制和保護等電路集成為功率集成電路並量產，技術全球領先。公司量產的GaN功率IC將功率器件和相關電路集成在5 x 6mm的QFN封裝中，一方面有效提高PSU電源供應單元的充電速度、效率、可靠性和成本效益；另一方面同時支持全橋、半橋電路設計，擴展大量應用場景。根據Navitas，公司產品目前主要應用於消費電子領域，未來計劃向光伏和電動汽車等領域拓展。

圖表：GaN功率芯片主要運用場景

資料來源：公司官網，公司公告，Yole，中金公司研究部

供應鏈：上游供應商呈現集中狀態，下游集中於消費電子領域

Navitas採用Fabless模式進行芯片設計，產品生產採用委外加工的模式完成，主要採購定製化晶圓及相關的製造、封裝及測試的服務，為下游移動通訊客戶提供GaN功率IC。上游來看，公司供應商呈現較集中狀態，由台積電和Amkor分別提供晶圓代工和封裝測試。下游來看，客戶主要涵蓋三星、LG、OPPO、小米、Anker、Dell和亞馬遜等一線消費電子品牌。公司產品目前被廣泛應用於消費電子前裝和後裝電源適配器中。

圖表：Navitas產業鏈

資料來源：公司官網，各公司公告，中金公司研究部

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）均為第三代半導體材料，相比傳統半導體材料Si具有更大的禁帶寬度和更細窄的耗盡區，因此可以處理高壓、高溫場景，並提供更快的開關速度。實際運用中，GaN和SiC較Si擁有更高的開關頻率、功率密度和瞬態性能，以及更低的開關損耗，被廣泛應用在基站、電動汽車、高功率電子器件和基礎設施等場景中。

氮化鎵功率芯片（GaN Power IC）指將邏輯、驅動和保護等電路及氮化鎵晶體管（GaN FET）集成於硅基晶圓而得的高效、高頻的功率集成電路。功率半導體是為電子器件提供電力或實現電子電力轉換及控制的核心器件，核心發展趨勢是提高能量轉換率、減少損耗。進一步集成後，GaN功率IC能有效提高能量效率、可靠性和成本效益，主要用於充電器、適配器、開關電源（SMPS）、DC-DC、DC-AC等產品，下游應用廣泛涉及消費電子、工業、數據中心、光伏、電動汽車和國防等領域。

圖表：GaN IC（下，右）較GaN FET（上，左）擁有更加簡化、高效的電路

資料來源：公司官網，TI官網，公司公告，中金公司研究部

GaN功率IC較GaN FET效率更高、成本更低。從電路設計來看：提升功率密度的關鍵是提高開關頻率，以減少無源元件（如變壓器、EMI濾波器等）的體積和輸出電容。集成化GaN功率IC對電路布局進行優化，減少寄生參數的影響，增加電路的穩定性和可靠性。

圖表：GaN功率IC設計及應用優勢

資料來源：公司官網，公司公告，中金公司研究部

GaN功率半導體市場需求受高景氣下游驅動，2026年市場規模達21億美元。根據 Yole、IHS和Navitas預測，2020年全球GaN功率半導體市場規模為2千萬美元，約占功率半導體市場份額的0.3%；預測至2026年全球GaN功率半導體市場規模有望達到21億美元，2020E-2026E CAGR達117%。

圖表：全球GaN功率半導體市場規模及增速情況

資料來源：Yole，IHS，Navitas，中金公司研究部

按下游應用來看，GaN功率半導體憑藉轉換效率高、能量損耗小等優勢，成為電源供應單元PSU的理想材料，下游應用領域廣泛。根據Yole及IHS數據，隨電動汽車滲透率預期提高，預計2026年電動車用GaN功率半導體市場規模可達7.2億美元，占比第一；受益於5G智能手機的更新迭代，手機快充市場預計於2026年達到5.8億美元，占比躍居第二；消費電子、光伏逆變器和數據中心2026年市場規模分別為2.9億、1.9億、1.4億美元。

競爭格局來看，全球GaN功率半導體行業競爭格局較為集中。根據TrendForce，全球GaN功率半導體市場較為集中，2021年全球前5大廠商為Navitas、PI、英諾賽科、EPC和Transphorm，CR5為93%。其中Navitas市場份額近30%，國內廠商英諾賽科市場份額為20%。

商業模式來看，前幾大廠商多採用Fabless模式運營，僅有英諾賽科、英飛凌採用IDM模式。目前多數海內外GaN廠商收入規模、產品數量仍相對較小，多採用輕資產模式運營，藉助代工廠工藝平台設計產品。國內廠商英諾賽科率先採用IDM模式運營，集芯片設計、外延生長、芯片製造、測試於一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。

我們認為，GaN半導體產業鏈IDM模式和Fabless + Foundry模式或均將長期存在，兩者各有優勢：一方面，IDM模式在全球缺芯背景下能夠更好地保障產能和供貨時間；但Foundry資本支出較高，需要足夠大的產品體量來維持運營。另一方面，Fabless + Foundry模式則可以最小化資本支出，同時可利用各代工廠工藝平台，但產能和議價能力均一定程度上受限於代工廠。

圖表：GaN半導體產業鏈情況

資料來源：各公司官網，中金公司研究部

驅動力#1：消費電子：高功率電源 需求帶動GaN功率半導體量價雙增

GaN功率IC在消費電子中主要用於電源適配器、無線充電、過電壓保護OVP等場景，GaN具備高能量密度、高轉換效率等優點，可滿足高性能消費電子設備的快速充電和充電保護等需求。根據Yole和Navitas預測，2020年全球消費電子（含手機）GaN功率市場規模達1259萬美元，預計2026年達到8.7億美元，2020E-2026E CAGR有望達到103%。

高功率電源需求有望帶動消費電子GaN功率IC量價雙增，用量來看：

►電源適配器：電源適配器是消費電子GaN功率IC中的主要增量。適配器將交流電轉換成直流電輸出，給手機、平板、液晶顯示器、計算機等供電。與傳統適配器中的Si MOSFET相比，GaN器件擁有關斷速度快、開關頻率高、無反向恢復損失、低傳導損耗等特點，在減少開關損耗及改善充電效率的同時保證適配器小尺寸化。

►無線充電：無線充電指充電器與電子設備之間利用磁場進行電流傳遞，以實現無導線充電，技術可分為電磁感應和耦合共振兩種。目前受限於技術和Si材料限制，無線充電尚未大規模商用，遠期或有突破，而使用GaN材料可通過降低電流開關損耗和導通損耗，進而提高無線充電效率和充電距離。

►OVP：過電壓保護單元可在輸入電壓超過指定值時，切斷電源以保護主系統。隨着電源適配器的充電功率越來越高，過電壓保護電路需求有望隨之上升，催化電子設備電源接口逐步採納OTG和反向充電等新應用。考慮到GaN性能優越，根據英諾賽科，廠商可以在電路設計時將OVP中的2顆Si MOSFET替換為1顆GaN器件，降低OVP的整體成本和尺寸。

圖表：5G手機帶動快充需求上升

資料來源：Navitas，中金公司研究部

圖表：消費電子GaN功率市場規模（含預測）

資料來源：Navitas，Omdia，中金公司研究部

價值量來看，1）5G帶動手機快充需求量增加，加速GaN快充滲透前後裝市場。5G手機高能耗應用增加及性能提高帶動移動終端快充需求上升，我們認為有望拉動小米、OPPO、魅族等廠商的GaN電源適配器在前裝市場中滲透率持續提升，同時帶動Aukey、Anker、Belkin和Baseus等廠商的GaN電源適配器在後裝市場放量。

圖表：高功率GaN快充方案有望加速滲透

資料來源：TrendForce，中金公司研究部

圖表：高功率適配器方案實現GaN用量提升

資料來源：英諾賽科官網，中金公司研究部

2）適配器高功率趨勢帶動GaN功率半導體用量提升。台式電腦、高清電視、智能家居等消費電子領域主流廠商均推出超過110W的高功率、多用途GaN適配器，我們認為有望拉動GaN功率半導體出貨放量。根據英諾賽科解決方案，120W適配器較65W適配器中GaN功率器件使用量由1顆增加至3顆，單件價值量可提升2-3倍。

驅動力#2：汽車：電動化等級提升，為GaN功率半導體最大成長動能

GaN功率IC在汽車中主要用於OBC車載充電器、DC-DC/DC-AC、BMS電池管理系統等，汽車電動化趨勢有望推動汽車成為未來GaN功率半導體增長最快的細分領域。根據Navitas預測，2026年全球電動汽車GaN功率市場規模達7.2億美元，2020E-2026E CAGR有望達到320%。

圖表：電動汽車GaN 應用場景

資料來源：Navitas，中金公司研究部

圖表：電動汽車GaN市場規模（含預測）

資料來源：Navitas，Omdia，中金公司研究部

汽車電動化等級提升顯著增加了功率半導體單車價值量，GaN功率半導體主要用於電動汽車的動力總成系統，包括車載充電器OBC、DC-DC/DC-AC及BMS電池管理系統。我們認為，電動化程度提升有望推動GaN功率半導體量價齊升。用量來看：

►OBC：車載充電器將交流電轉換為直流電給電池組充電，傳統Si基功率器件OBC的效率和功率密度已經接近瓶頸，GaN功率IC有望於OBC中替代Si功率器件，從而提高充電效率及減少汽車總重，從兩方面優化汽車裡程。例如Hella、Canoo和Continental Powertrain等供應商已使用GaN systems的功率IC推出了不同功率的電動車OBC產品。

►DC-DC/DC-AC：電動汽車動力系統需要主逆變器將電池電流完成大功率DC-AC逆變後驅動電機，後用於再生制動系統，並將回收的能量存回電池；同時，電力系統在輸出高電壓後需變化至低電壓後供汽車低壓供電網絡，以滿足顯示器、傳感器等應用的需要。使用GaN替代DC-DC/DC-AC中的Si基器件，可將電解電容器改進為更小、更可靠的陶瓷電容器，釋放汽車空間，例如BrightLoop Converters已使用GaN systems的功率IC推出了9.6kW的電動車DC-DC轉換器。

►BMS：電池管理系統通常配備一個電池保護單元(BPU)，在需要時將電池從充電器或負載上斷開。BPU通常由兩顆Si MOSFET組成，有望替換為一顆GaN半導體, 以實現更低的導通損耗和開關損耗。

圖表：GaN有望於OBC中替代Si

資料來源：英諾賽科官網，中金公司研究部

圖表：不同動力汽車半導體成本構成（美元）

資料來源：英飛凌，中金公司研究部；註：根據2020年成本拆分

價值量來看，車規級市場對功率芯片可靠性、穩定性、效率要求更高。根據英飛凌，純電動汽車與48V/輕度混動電動汽車相比，單車半導體成本增加262美元，功率器件成本約上升240美元/輛。根據Navitas、Yole、BCG數據，預計2030年電動汽車單車GaN價值量有望達到50美元/輛，預計2030年市場規模達到25億美元。

圖表：GaN較Si於汽車應用中更具優勢

資料來源：Navitas，中金公司研究部

圖表：全球電動汽車銷量（含預測）

資料來源：中汽協，中金公司研究部

智能電動汽車已由培育期進入成長期，滲透率將加速提高。我們認為，2020年來，智能電動汽車的商業模式已被肯定，行業已從培育期過渡到成長期，或將駛入滲透率加速車道。根據中汽協數據，2021年中國新能源汽車總銷量為352.1萬輛，同比增長157.6%，滲透率達14.8%。參考《2022中金汽車白皮書：望遠看未來，洞見品變遷》，我們預測2025年中國新能源乘用車滲透率超越30%，年複合增速持續保持較快水平。我們認為電動車滲透率的提高將推動汽車類功率芯片打開更大市場空間。

驅動力#3：數據中心高效、高功率密度發展提升GaN功率半導體需求

GaN功率IC在數據中心中主要用於PSU電源供應單元中，數據中心能耗管理需求大幅提高有望提升GaN功率半導體需求。根據Navitas預測，2026年全球數據中心GaN功率市場規模達1.4億美元，2020E-2026E CAGR有望達到81%。

圖表：GaN減少數據中心碳排放、運營成本

資料來源：GaN System，中金公司研究部

圖表：數據中心GaN市場規模（含預測）

資料來源：Navitas，Omdia，中金公司研究部

圖表：數據中心電源供應結構圖

資料來源：GaN System官網，中金公司研究部

我們認為，GaN有望於數據中心中替代Si，實現量價齊升：

用量來看：相比Si，GaN可以減少用電成本及提高能量密度，有望替代Si並進一步放量。數據中心電源系統由PSU電源供應單元（包含PFC功率因數修正器、LLC諧振轉換器）與DC/DC等部分組成，涉及大量功率器件。根據GaN System，GaN將滿足PSU兩大發展趨勢：一方面提高效率，減少13%的能耗；另一方面提升一倍的功率密度，進而減小PSU單元尺寸、優化數據中心整體機架排布，提供更緊湊、高效、可靠的電力供應系統。

圖表：GaN電路較Si擁有更高的效率、能量密度

資料來源：GaN System官網，中金公司研究部

價格來看，數據中心PSU高功率趨勢有望提高單機GaN價值量。根據GaN System和Navitas預測，PSU單機功率正在從2千瓦逐步往3千瓦提高，PSU GaN單機價值量有望提升至75美元，預計2030年總出貨達到每年1300萬台，對應10億美元市場份額。

驅動力#4：碳中和激發光伏發電需求，有望推動GaN功率半導體持續放量

GaN功率IC在光伏發電中主要用於逆變器和配套儲能中，碳達峰、碳中和目標推動光伏發電與配套儲能系統裝機量上升，有望推動GaN功率半導體持續放量。根據Yole和Navitas預測，2026年全球光伏發電GaN功率市場規模達1.9億美元，2020E-2026E CAGR有望達到208%。

圖表：光伏及儲能系統GaN應用示意圖

資料來源：Navitas，中金公司研究部

圖表：光伏發電GaN功率市場規模（含預測）

資料來源：Navitas，Omdia，中金公司研究部

光伏發電通過逆變器將直流電逆變為符合電網要求的交流電，輸入電網和儲能系統，電能轉換過程涉及大量功率半導體。GaN功率器件具有靜態和動態損耗低、寄生電容小、支持高頻、開關速度快等優異性能，能夠有效提升光伏發電效率。此外，GaN高頻開關可使逆變器產生更乾淨的正弦波，導致無源元件的明顯減少，進而降低光伏發電系統的尺寸、重量和成本，也可使儲能系統實現低轉換損耗。

圖表：全球光伏發電裝機量（含預測）

資料來源：Wind，國家能源局，中金公司研究部

圖表：GaN較Si擁有更低的轉換成本及損耗

資料來源：Navitas，中金公司研究部

市場規模來看，根據Navitas預測，每百萬瓦光伏發電裝機容量將帶來500萬-1000萬GaN功率IC銷售額，預計每瓦GaN價值量為5-10美元，2023-2030年每年市場規模超過10億美元。

#1：首創GaN功率 IC技術，高研發投入助力技術保持領先

公司2014年首創並於2018年量產高壓GaN 功率 IC，以快速技術迭代構築公司護城河。在技術上，公司為全球第一家將氮化鎵晶體管和驅動、控制和保護等電路集成為功率IC並實現量產的公司，GaN功率IC產品技術全球領先。截至2021年12月31日，公司擁有超過145項專利（已申請和在申請）。

技術研發來看，公司以高研發投入和積極的人才團隊建設政策夯實技術基礎，助力下游應用持續拓展。研發投入端，公司積極投入技術迭代，以產品更新構築技術壁壘。2021年公司研發費用率為117%，研發費用同比增長113%。人才團隊建設端，公司聯合創始人DAN KINZER、JASON ZHANG以及副總裁MARCO GIANDALIA等多位高管均為技術出身，擁有平均30年以上的研發經驗，並聯合研發GaN功率IC。公司重視人才梯隊建設，不斷擴充研發團隊規模，保證研發團隊穩定性。

#2：切入下游龍頭供應鏈，有助於建立先發優勢與業務擴張

公司切入大客戶供應鏈體系同時加強研發合作。客戶方面，公司在消費領域已經進入頭部客戶供應鏈，終端客戶包括一線廠商三星、小米、華為、LG、Dell等。研發合作方面，公司於中國杭州及上海開設數據中心及電動汽車設計中心，與下游領域客戶合作開發應用方案。

#1：GaN功率半導體加速滲透，技術替代驅動打開成長空間

GaN功率半導體加速滲透，有望於高頻場景中逐步替代Si，推動公司GaN功率IC市場規模逐步放大。根據Yole與IHS預測， 2026年全球功率半導體市場規模有望達131億美元，2020-2026E年複合年增長率為6%；2020年GaN功率半導體占全球功率市場規模尚不足1%，預計至2026年滲透率將達15.9%，對應21億美元市場規模和2020-2026E年複合年增長率117%。我們認為，GaN與SiC等三代半導體有望於高頻、高功率等場景進一步逐步替代Si，於功率器件中滲透率逐步上升，為GaN功率IC提供更大的市場空間。

圖表：GaN成本有望持續降低，並於2023年與Si成本持平

資料來源：Navitas，中金公司研究部

#2：數據中心/光伏發電/電動汽車等高景氣下游帶動業績上升

公司布局高功率消費電子、數據中心、光伏發電、電動汽車等高景氣下游。據IDC預測，2020E-2025E年消費電子（含手機快充）、數據中心、光伏發電與電動汽車領域市場規模CAGR有望分別達30%、23%、48%、185%。根據Yole和Navitas預測，2020E-2026E年消費電子（含手機快充）、數據中心、光伏發電與電動汽車領域下游GaN功率半導體市場規模CAGR有望分別達103%、81%、208%、320%，下游景氣度較高，需求有望加速提升。

產品附加值來看，高門檻應用場景有望推動下游毛利率增加。根據Navitas測算，數據中心、光伏發電、電動汽車等場景中GaN功率IC價值量將分別達到75美元/台、5-10美元/瓦特和50美元/輛，顯著高於消費電子。同時，考慮到技術及性能要求，應用於電動汽車及光伏等高門檻領域的產品相較應用於消費電子領域的產品通常毛利率較高。

圖表：下游高景氣賽道有望帶動GaN需求上升（全球）

資料來源：Navitas，中金公司研究部

行業：下遊行業拓展與滲透率提升下，行業空間廣闊。目前GaN功率半導體占全球功率半導體市場中比重較少（2020年比重僅為0.3%）。未來伴隨下游領域多維應用拓展，我們認為GaN功率半導體滲透率有望持續提升，市場空間廣闊。

企業：Navitas自2021年上市之後，實現了業務快速擴張並體現了強大的協同研發能力，我們認為其發展歷史對我國其他GaN功率半導體公司有如下借鑑意義：

►技術創新：從歐美成熟半導體公司如TI、ONSemi、意法半導體發展經驗來看，技術創新與迭代能力往往是半導體公司的第一生產力，Navitas優異的產品迭代能力再一次驗證其重要性。我們認為，一方面，技術創新所帶來的優異性能是公司營收的驅動力之一；另一方面，技術創新亦可推動產品製造成本降低，實現更高的毛利率，為公司長期可持續發展打下基礎。

►協同效應：我們認為，半導體設計公司作為產業鏈中的上游，積極與下遊客戶協同合作，逐步切入下游龍頭客戶供應鏈並配合客戶持續迭代技術，有望促進公司營收長期增長。Navitas切入大客戶供應鏈體系，並於高景氣賽道同頭部公司合作開發相關應用，助力業績增長及業務擴張。我們認為，國內各應用領域下游頭部客戶眾多，國內半導體設計公司有望通過加強與下游龍頭客戶的合作享受到協同效應帶來的技術迭代、背書效應等紅利。

►中國機遇：中國是全球半導體主要市場，國內半導體公司可抓住中國市場的成長機遇。Navitas成功於中國開設兩處設計中心，與客戶合作開發，共同挖掘GaN成長機遇。此外，Navitas還積極與下游廠商（如小米）建立戰略夥伴關係，截至1Q22，公司已經累計出貨4000萬顆GaN IC，其中超過1000萬顆供應給小米。公司80%的業務都源自中國，我們認為公司有望藉助中國市場的蓬勃機遇迅速成為有影響力的GaN功率半導體公司。

►產品研發速度、認證與推廣不及預期風險。行業競爭激烈，其特點是持續快速的技術升級、較短的產品生命周期、終端驗證時間長等。從研發端來看，若研發周期不及預期，或影響下游對產品的採購水平。從認證與推廣端看，終端產品認證周期一般在一年或以上，同時需要研發人員共同協助測試，客戶認證要求高。我們認為，產品從研發出樣到產生營收有一定滯後，投資人若僅通過可供銷售的料號增長推斷營收可能存在一定的偏差。

►產能受限的風險。採用Fabless模式的GaN公司對晶圓代工廠產能較為依賴，IDM模式則需大量資金投入，新增產能需要時間較長，半導體行業周期波動較大，簽訂短期協定或無法保障長期供應，同時GaN IC產品生產工藝複雜，或無法快速導入其他供應商，如若出現產能不足的情況，可能對下游企業的應用、行業整體供貨水平和增速產生影響。

►出口限制和限制貿易和投資的法律風險。受美國法律法規的約束，部分出口管制和經濟條例可能會禁止某些高新產品和技術的出口，因此可能會限制部分GaN產品的進出口銷售，考慮到中國市場的規模，中美之間的相關出口限制可能會對行業的發展及相關公司業務產生影響。

►下遊行業增速及GaN滲透率提升不及預期風險。考慮到Si基產品的限制，目前GaN產品主要在消費電子/數據中心/光伏發電/汽車等領域對Si基產品進行替代，若下遊行業市場需求不及預期或GaN滲透率提升不及預期，或對行業市場規模增長產生影響。

本文摘自：2022年6月21日已經發布的《Navitas：聚焦氮化鎵功率IC，多元高景氣下游驅動業績增長》

楊曉宇 SAC 執業證書編號：S0080121030060 SFC CE Ref：BRA096

石曉彬 SAC 執業證書編號：S0080521030001

彭虎 SAC 執業證書編號：S0080521020001 SFC CE Ref：BRE806