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山西師範大學薛武紅副教授和許小紅教授合作,通過引入一種CMOS兼容、簡單、穩定的Pt/V2O5/Pt三明治結構器件,首次通過在V2O5介質層中構建和調控缺氧V2O5-x和Mott VO2納米通道分別模擬了類腦處理和神經痛覺感知功能。此外,在基於V2O5-x納米通道突觸器件卷積神經網絡中,手寫數字識別準確率在5個訓練後高達80%,52個訓練後達到89%。利用Mott VO2納米通道器件的優異閾值轉變還完美地模擬了痛覺感受器的所有關鍵特徵。特別是,器件展現了0.4 V超低閾值電壓和亞毫秒級孵化時間。
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在單一器件Pt/V2O5/Pt中,通過構建和調控V2O5-x和VO2納米通道,分別模擬類腦處理和神經疼痛感知功能
這些結果表明在Pt/V2O5/Pt單一器件中構建的漂移型和Mott納米通道能夠很好的模擬突觸和傷害感受器功能。該工作為開發多功能、超靈敏和高集成人工智能系統提供了新思路。
相關成果以「Native Drift and Mott Nanochannel in Layered V2O5Film for Synaptic and Nociceptive Simulation」為題,在SCIENCE CHINA Materials發表。
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