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TOPCON 電池主要分 LPCVD，PECVD，PVD 三種路線，步驟在 12 步左右。制絨（捷佳偉創，金舟）。
硼擴（拉普拉斯做的最好，北方華創，捷佳偉創也會做），背面鹼拋光（捷佳偉創，金舟）。
背面隧穿氧化層和多晶硅層沉積（LPCVD，PECVD，PVD 三種路線），LPCVD 先通過熱氧化方式長 1-1.5nm 的遂穿氧化層，再長本徵非晶硅層，結合磷擴散，形成摻雜多晶硅層。PECVD先用 PECVD 方式長 1-1.5nm 的遂穿氧化層，再長摻雜非晶硅層，厚度約為 100-150nm 之間。
PVD 方式和 PECVD 差不多。LPCVD 做的最好的是拉普拉斯，PECVD 做的比較好的是捷佳偉創和紅太陽兩家，北方華創和金辰其次，紅太陽的設備在通威，晶澳，中來都有在試用 demo機，PEALD 微導在做，由於隧穿氧化層通過有機硅的方式實現生長，成本會更高，PEALD 這條路線未來不會選擇。PVD 中來在做。
退火，讓摻雜非晶硅層晶華，形成摻雜多晶硅。磷從非激活態變成激活態
刻蝕清洗，鏈式設備把表面 PSG 去掉，再通過鹼刻蝕把正面繞鍍的多晶硅去掉，然後做槽式清洗，把正面的 BSG 掩膜，背面 PSG 掩膜去掉（捷佳偉創，金舟等）
正面氧化鋁鈍化，管式 ALD（捷佳，微導）或板式 ALD（理想）。正背面氮化硅鈍化，管式 PECVD（捷佳，紅太陽）
絲網印刷，在正背面形成金屬化電極（邁為，科隆威，捷佳偉創）電注入或光注入（邁為，奧特維，科隆威）
測試分選（邁為等）
Q：TOPCON 電池價格
A：TOPCON 電池溢價在 0.1 元/W，PERC 電池 1.3 元/W，TOPCON 電池 1.4 元/W。組件端 TOPCON
組件比 PERC 組件高 0.1 元/W 的溢價。
Q：TOPCON 降本
A：TOPCON 成本比 TOPCON 高 0.04 元/W。PECVD 與 LPCVD 相比，成本會低 0.01 元/W，成本優勢主要在石英件耗材較少節省 0.005 元/W，設備投資較低，PECVD 加退火的方式比 LPCVD 本徵加磷擴的方式節省 0.007 元-0.008 元/W。其次是金屬化，目前 TOPCON 量產銀漿耗量在 14-16mg/W 的水平，晶科目前 182 整片在 14mg/W 的銀耗，未來可以通過網板優化，漿料優化降低銀耗，銀漿耗量有望做到 9-10mg/W，目前 PERC 是 8-9mg/W。硅片目前用 150，160微米的厚度，明年應該能做到 140 微米，再往薄做會很難。設備投資目前 1.5-1.7 億/GW，
TOPCON 技術路線掌握在電池廠手裡，比 PERC 高 4000-5000 萬，未來還有持續降本的空間，去年是 1.9 億/GW，降幅較大。
Q：TOPCON 效率提升
A：激光 SE，導入 SE 需要增加激光 SE 設備投入，目前可以提效 0.2%，後期做到 0.3-0.4%的效率提升還是有可能的。背面 POLY 硅厚度優化，漿料改進，硅片質量改善等都有可能提升，今年晶科量產做到 24.8-24.9%沒問題，明年量產在在年底做到 25.5%以上沒問題
Q：TOPCON 良率
A：晶科可以做到 98%以上的良率，晶科卡的不嚴，通威卡的嚴，行業良率在 96%左右，比
PERC 低 2-3%，還有很大的提升空間。
Q：TOPCON 後續落地產能和擴產節奏
A：今年 80GW 有點難，60GW 沒問題。晶科已經有 16GW，還有 8GW，總計 24GW。中來一期 4GW
加泰州 3.6GW，接近 8GW。天合宿遷有 8GW 要投，晶澳已經有 1.3GW，6GW 在招標，一道有
6GW，鈞達有 8GW，阿特斯有 6GW。這兩年的規劃（2024 年之前）已經超過 160GW。
Q：TOPCON 組件價格
A：PERC 在 1.9-2.0 元之間，TOPCON 在 2.06-2.10 之間，HJT 比 TOPCON 略高一點在 2.10 元
/W 以上。HJT 和 TOPCON 之間效率差不多，組件功率高 4-5W，沒什麼溢價。
Q：HJT 情況
A：銀耗在 23-25mg/W，目前研發做到 20mg/W，比 TOPCON12mg/W 還高很多。硅片 130 微米硅片沒問題，但如果再往下做明年也不一定樂觀。設備投資上正背面改微晶可以提 0.7-0.8%的效率，比 TOPCON 會有 0.5%的效率優勢，到明年底 HJT 中試可能還會有 26%的效率出現。銀包銅到今年年底有可能上，但薄片化有碎片率高的問題，激光轉印技術也沒有這麼快，還需要持續降本。150 微米 HJT 良率在 99%以上，130 微米 HJT 良率在 98%以上接近 99%。今年年底之前做到130 微米沒什麼問題。但120 微米以下碎片率會高很多，後面會上但沒那麼快，今年比較難。
Q：PE-POLY 路線能否成為主流
A：晶科 20 多 GW 全是 LPCVD 路線，一道也是 LPCVD 路線，捷泰一期 8GW 選擇 LPCVD，二期
8GW 可能會選擇 PECVD，LPCVD 是比較穩妥的方案，後期下單比較多的通威 8GW，天合 8GW，潤陽 10GW 改造，晶澳 1.3GW+6GW 招標都是 PECVD，但 PECVD 沒有大規模跑片不知道是不是有問題。但 PECVD 原位摻雜的方式可以把 POLY 做薄，均勻性，摻雜濃度相比於 LPCVD 有優勢，效率會較高，此外 PECVD 的產能 6 管可以做到 6800 片/h 的產能，比 LPCVD4000 片/h的產能大很多，另外 PECVD 用的是石墨舟不存在石英舟損耗的問題。後面投的公司主要還是看重 PECVD 的成本優勢，目前天合可以做到和 LP 持平，其他家做 PECVD 路線效率比 LPCVD也會稍差一些。目前落地的產能 LP 和 PE 是 64 開，未來 PE 路線會更樂觀。
Q：硼擴 SE
A：目前 SE 晶科在做，其他幾家都沒在做，不知道晶科進展如何，效率有 0.2%的提升，良率未知。對應價值量 2500 萬/GW，費用較大，技術也不是很成熟，目前投產不太會上這個技術路線。當前的經濟性不高。
Q：激光設備廠商
A：和帝爾合作做激光 SE，目前無進展，直摻很難做，如果做二次摻雜難度不大。
Q：PEALD 與 PECVD 比較
A：PEALD 用有機硅為原材料比 PECVD 用笑氣更高，均勻性兩者差不多，通威以前 1GW 都用
PEALD，現在全部改為 PECVD，尚德也用了 2GW 的 PEALD 設備，專家的公司以前用 PEALD 但現在也改用 PECVD，未來 PEALD 沒有優勢
Q：PVD 的優缺點
A：優點是無繞鍍，產能更大，良率更高。缺點是機台開機率低，需要經常維護，此外效率較低（中來實際量產效率 24.3%），設備投資成本更多，占地面積更大。PVD 為了防止背面邊緣不漏電有 0.7-0.8mm 不做鈍化，效率會有所損失，其次 PVD 轟擊會有損傷，鈍化會更差，效率有所損傷。目前 PVD 只有中來在用，但如果 TOPCON 電池可以做薄，PVD 方式會更有優勢。
Q：鈣鈦礦
A：三四年內看不到，鈣鈦礦處在很早的階段，目前穩定性，光衰，紫外線分解等問題都沒有得到解決，真正大規模量產還很早。後期可能晶硅電池和鈣鈦礦電池做疊層，但沒這麼快。
Q：HJT 超過 TOPCON
A：至少要過兩年左右，需要用電鍍銅，銀包銅等新技術把成本將下來，從今明兩年來看，成本還是很難往下降。從疊層電池來看 HJT 和鈣鈦礦都是低溫製程相比 TOPCON 會更容易。
Q：細柵線
A：TOPCON 正面細柵線寬 25 微米左右，HJT 在 35 微米左右，用鋼板印刷 HJT 可以做到 27
微米線寬，TOPCON 可以做到 20 微米。
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