鑽石舞台

碳化硅是典型的第三代半導體材料，應用廣泛，近年來發展迅速。中國電科產業基礎研究院(13所)自2004年開始對碳化硅材料、器件進行工藝研究，與國際先進水平同步。經過多年的建設和發展，2017年，4英寸碳化硅電力電子工藝線正式實現批產供貨;為進一步擴充產能、對標國際先進，2019年，產業基礎研究院(13所)採用改擴建方式完成了碳化硅電力電子6英寸工藝線。

中國電科集團在第三代半導體領域布局

（一）55所布局車規SiC項目年產能1000萬顆：國揚電子主要負責中電科55所碳化硅器件和模組項目。6月16日，江蘇省工信廳公示了《2022年度江蘇省工業和信息產業轉型升級專項資金》，其中就包括揚州國揚電子主導的車規級SiC MOSFET芯片和功率模塊項目。據悉，此次項目產業化後，碳化硅芯片將形成年產1000萬顆的能力，功率模塊形成年產15萬隻的能力，新增營業收入1.5億元，利稅1500萬元。

（二）13所布局2大項目年產能超過12萬件：中電科13所旗下的國聯萬眾在前段時間公示了總投資3.13億元的碳化硅項目環評表，其中提到他們在建設2個碳化硅相關項目：（1）7月20日，國聯萬眾半導體官網公示了「碳化硅項目」的環評報告表。該項目總投資3.13億元，主要研發3300 V SiC MOSFET芯片及3300 V高壓功率模塊封裝技術，將於2023年1月1日開工建設；

（2）此外，國聯萬眾還在建設另一個碳化硅、氮化鎵相關項目，主要產品包括6英寸SiC、GaN晶圓；GaN功放模塊；SiC功率模塊及單管。

（3）截至目前，6英寸碳化硅電力電子工藝線已穩定生產供貨。期間通過不斷優化產品性能指標，產業基礎研究院(13所)技術團隊又基於6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET產品開發，產品指標均可對標國際一線品牌。

（三）中電科材料公司將建200萬片襯底項目：中電科材料公司方面，碳化硅襯底有爍科晶體，碳化硅外延有普興電子和國盛電子。

爍科晶體：爍科晶體一期項目已於2020年2月正式投產。截至2021年底爍科晶體實現銷售收入5億元。據山西爍科晶體有限公司總經理李斌介紹，他們們下一步也將投資30億，形成接近200萬片的產能。今年3月，爍科晶體還成功研製出8英寸碳化硅晶體，實現了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產。

普興電子：8月15日，據河北長城網報道，河北普興電子的碳化硅搬遷項目將於今年年底全面竣工。該項目總投資5億元，項目投產後，普興電子將新購置各類外延生產及清洗檢驗設備共392台（套），預計可達到年產300萬片8英寸硅外延片、36萬片6英寸碳化硅外延產品的生產能力。

國盛電子：南京國盛電子是國內優秀的硅外延、碳化硅外延生產服務供應商，其產品覆蓋4英寸至8英寸的各類型外延片，產能達到25萬片/月（折合6英寸）。2021年9月，國盛電子的「外延材料產業基地項目」簽約落戶南京江寧開發區，一期將建設成立第三代化合物外延材料。

（四）中電科裝備公司，關鍵設備屢屢實現突破：中電科裝備公司目前已經實現了碳化硅關鍵核心設備的研製，包括碳化硅外延設備、高能離子注入設備、高溫氧化/激活，以及碳化硅晶體激光切割。

（1）中電科2所：今年8月，中電科2所激光剝離項目取得突破性進展，基於工藝與裝備的協同研發，實現了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離。其激光剝離設備有機結合激光精密加工和晶體可控剝離，實現半導體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時間減少50%以上，並實現晶體加工整線的高度自動化。此外，今年2月，該所還成功研製出山西省首片碳化硅芯片。據悉，2021年9月，中電科二所就建設了碳化硅芯片mini線，並負責整線運行和維護。

（2）中電科48所：2021年底，據該所半導體裝備研究部副主任鞏小亮介紹，他們的第三代半導體裝備產業布局優勢明顯，SiC外延生長設備方面，在國內率先開發出碳化硅器件製造關鍵裝備，並形成成套應用態勢。截至2020年，SiC設備已在生產線應用/簽訂合同逾20台套，意向合同多台套。6英寸單片式機型滿足厚外延、高均勻、低缺陷等工藝發展需求；SiC高溫高能離子注入機，注入能量、束流、均勻性、穩定性和產能持續提升，批量應用。SiC高溫激活爐滿足量產要求，已小批量應用；SiC高溫氧化爐生產出的1200 V/80mΩ MOSFET器件進入下游用戶可靠性測試階段。