前言
2021年3月13日，新華網刊登了《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》，其中在「集成電路」領域，特別提出要發展氮化鎵、碳化硅等第三代寬禁帶半導體技術，這標誌着第三代寬禁帶半導體產業已成為支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性和基礎性產業。
相對於硅材料，使用第三代寬禁帶半導體材料製造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實現更高的性能。
第三代寬禁帶半導體的應用場景
第三代寬禁帶半導體可以廣泛應用於電動汽車、逆變器、軌道交通、太陽能、風力發電、消費類電源等領域。近年來，隨着USB PD快充技術的普及和氮化鎵技術的成熟，大功率快充電源市場逐漸興起，氮化鎵也開始在消費類電源市場中嶄露頭角，進入了多款百瓦級大功率快充供應鏈，助力快充電源實現更高的效率和更小的體積。
鎵未來科技大堂
而在橫琴，就有一家高端氮化鎵功率器件研發企業，一成立就吸引了全球的目光。它就是珠海鎵未來科技有限公司（簡稱「鎵未來科技」）。
吳毅鋒博士（右一）給來賓介紹鎵未來科技的產品
鎵未來科技的發展之路
鎵未來科技的創始人是從事氮化鎵電子器件研發多年的吳毅鋒博士，他在展示鎵未來最新產品——體積相當於兩隻口紅大小的65W氮化鎵快速充電器時強調：「市面上同樣功率的充電器，體積一般比這個大兩倍，不僅笨碩、能耗也更高。」相較於傳統材料的功率器件，第三代寬禁帶半導體氮化鎵技術可以大幅度提升能源利用效率。
吳毅鋒博士舉例，氮化鎵技術可以讓單個5G基站或數據中心單台服務器年節省用電約200-1000度。此外，功率轉換的體積、重量可以降低20-50%，變壓器、電容等耗材也相應減少。
2020年，看到功率器件在中國的良好發展勢態，在美國公司工作二十多年的吳毅鋒博士下定決心買了單程機票，來到橫琴發展。
鎵未來科技的實驗室
吳毅鋒博士說：「氮化鎵功率器件在通訊、數據中心、家電、新能源汽車、電力系統等領域有廣闊應用，並且全球功率半導體的應用製造80-90%都在中國，產業土壤非常好。」
紮根橫琴後，積累擁有30多項知識產權的珠海鎵未來科技有限公司很快就在業務上取得突破，成為首家與國家電網合作開發了適用於電網智能終端的900V電壓級別高可靠性氮化鎵器件的企業，也是目前唯一實現了在3600W服務器電源達到鈦金能效標準的650V氮化鎵量產製造商。
鎵未來科技的實驗室
第三代寬禁帶半導體前景廣闊
談及未來，吳毅鋒博士對公司的發展充滿信心：「氮化鎵材料還處於產業早期，不管是材料、器件和工藝上都有很大的改進空間，我們覺得氮化鎵是行業的發展趨勢，也是功率半導體的重要技術研究方向，公司發展前景廣闊。」
境成資本創始人叢遠華
境成資本創始人叢遠華將鎵未來引入橫琴。作為天使投資人的他，十分看好氮化鎵半導體的發展前景，因此親任公司董事長。
叢遠華說：「我們的芯片是綠色芯片的傑出代表，全球現在用電在功率放大這塊，用我們的芯片可以節省10%的電，對於世界碳中和以及全人類的貢獻是非常巨大且深遠的，這也是為什麼第三代寬禁帶半導體是我們『十四五』規劃發力的重心之一。」
鎵未來科技的實驗室
「新型的功率半導體器件應用最多的是在中國，因為中國的製造業非常先進，新的材料、新的產品的訂貨90%都在中國，所以我覺得回國有一個非常好的土壤，可以把這些先進技術開始量產，然後推廣，幫助國家在這方面的新技術邁向一個新台階。」作為全球氮化鎵技術的引領者之一，目前，在吳毅鋒博士身邊已經聚集了一批具有國際領先水平的高等級科研團隊，他們正不斷迭代技術。
「每一次產品增值不但是性能提高，而且是價格要降低。我們可以做出量產支持1萬瓦的大功率芯片，也在研發第三代工藝，三年後，我們就可以量產，不僅在中國是領先的，在世界也是領先的。」吳毅鋒博士說。
充電頭網總結
近年來，隨着第三代寬禁帶半導體入選「十四五規劃」，得到國家的重點鼓勵發展；以及材料生長、器件製備等技術的不斷突破，第三代寬禁帶半導體高效節能的優勢正逐漸顯現，一個應用前景廣闊的市場已經形成。
自2018年以來，氮化鎵在消費類快充電源領域的應用就已經進入了快車道。未來五年，基於第三代寬禁帶半導體材料的電子器件將廣泛應用於激光雷達、5G通信、新能源汽車、特高壓、人工智能、數據中心等場景。而深耕第三代寬禁帶半導體行業多年的鎵未來科技，憑藉其積累的研發和技術優勢，有望成為世界第三代寬禁帶半導體的頭部企業。
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