鑽石舞台

2022 年第二季度，韓國芯片製造商在全球 NAND 閃存市場的份額超過 50%。

根據台灣市場研究公司 TrendForce 的數據，第二季度全球 NAND 閃存銷售額達到 181.2 億美元，比上一季度增長 1.1%。第二季度，供應商的位出貨量與上一季度相比下降了 1.3%，但平均售價 (ASP) 卻上漲了 2.3%。

三星電子的銷售額較上一季度下降 5.4% 至 59.8 億美元。市場份額為33.0%，比上一季度的35.3%下降2.3個百分點。

另一方面，包括 Solidigm 在內的 SK 海力士 NAND 閃存銷售額為 36.15 億美元，環比增長 12.1%。其市場份額從一季度的 18.0% 增長 1.9 個百分點至 19.9%。

三星電子與 SK 海力士的市場份額差距從 17.3 個百分點縮小至 13.1 個百分點。儘管韓國內存製造商的市場份額總和從 53.3% 下降到 52.9%，但它們仍然占據了一半以上的市場份額。

日本的鎧俠以15.6% 的份額位居第三，緊隨其後的是西部數據 (Western Digital) 的 13.2% 和美光科技 (Micron Technology) 的 12.6%，均來自美國。

本月初，年度存儲盛會FMS在美國隆重舉辦。會上，來自全球的存儲巨頭分享了他們的技術未來的看法和觀點。

Techinsights首先指出，在 FMS2022 上，所有與會者慶祝了一個重要的里程碑，即 NAND 閃存發明35周年。今年會議的關鍵詞似乎是 ：

CXL-Memory (CXL-DRAM, CXL-NAND),

Optane XPoint Memory 倒閉,

新的和下一代 2XX 3D NAND 產品,

Chiplets,

基於ZNS的存儲系統。

在會議期間和面對面會談期間，進行了許多關於關鍵詞的演示和討論。新的存儲產品送樣，例如 BittWare PCIe 5.0/CXL FPGA 加速器、IBM Elastic Storage System 3500、Infinidat InfiniBox SSA II、鎧俠 CM7 系列 E3.S 企業 NVMe SSD、Phison X1 基於控制器的 SSD 平台、Pliops XDP、三星內存- 推出semantic CXL SSD、ScaleFlux CSD 3000 SSD、Solidigm P41 Plus SSD with 144L-Q、Supermicro Petascale All-Flash Server with DDR5 and PCIe5.0、Swissbit PCIe-SSD N-30m2，以及YMTC 的X3-9070 with Xtacking 3.0出現在他們展台上。

在 3D/4D NAND 和 SSD 技術方面，行業領導者在主題演講中宣布了他們的新產品和芯片樣品，當中包括了三星、SK 海力士/Solidigm、鎧俠、西部數據和長江存儲。

1.三星重點介紹了推動大數據市場的 4 個技術進步領域；數據移動、數據存儲、數據處理和數據管理。三星宣布推出「內存語義 SSD」，它結合了存儲和 DRAM 內存、AI 和 ML 優化存儲的優勢。該公司於 5 月開發的業界首款 UFS 4.0 移動存儲推出。計劃於本月開始量產。三星強調了 SmartSSD 和 CXL DRAM，它們旨在避免當前內存和存儲架構的瓶頸。

2.SK 海力士最近於 7 月向客戶交付了第一款 V8 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，預計將於 2023 年開始量產。SK 海力士正在開發 1Tb 的238 層產品。該公司還推出了首個基於 DDR5 DRAM 的 CXL 樣品。Solidigm 推出了配備 144L-Q 的 P41 plus SSD。他們還在主題演講中展示了世界上第一個工作的 Penta-Level Cell (PLC) SSD 芯片樣品，其 192L-Q 首次能夠在每個存儲單元存儲 5 位數據，相同占用空間內的數據增加 25%與四級單元 (QLC) SSD 相比。

3.鎧俠推出基於MLC（2bit/cell）BiCS FLASH的第二代XL-FLASH單片機解決方案。第一代是基於 SLC 的。Gen2 XL-FLASH 的內存容量為 256Gb/die。產品樣品發貨計劃於 11 月開始，預計 2023 年開始量產。

4.長江存儲推出X3-9070 TLC 3D NAND Flash樣品產品，搭載Xtacking 3.0 Architecture, 4th gen。3D NAND（1Tb TLC 芯片， 232L 6 平面設計）。

關於英特爾最近宣布退出的 Optane XPoint Memory，FMS 2022 大會上召開了特別會議。Chuck Sobey（FMS 會議主席）和一些分析師（Tom Coughlin、Jim Handy 和 Dave Eggleston）與一些英特爾人員一起回顧了它的歷史、業務和問題。

簡而言之，Optane（XPoint Memory）性價比不高，不會成為未來產品的一部分。儘管 Optane XPoint Memory 正在逐漸減少，但它奠定了持久內存的價值，並被用於設計和製造創新的存儲系統。此外，它確實有助於推動 CXL 接口存儲器技術的發展。

XPoint 是全新的 PCM

自 2016 年以來，英特爾傲騰 DIMM 和持續內存損失總計超過 70 億美元

光刻和產品成本限制了 XPoint 兩層或四層堆疊，這導致難以實現更高密度（不再是 Gen3）

連貫持久記憶的價值有限

例如，與微軟的有限合作夥伴關係失敗了

CXL接口SSD未來可能會取代Optane持久內存或SCM（Storage Class Memory）市場

NAND 的未來是 NAND（不會被任何 EM/XPoint 取代）

DRAM 的未來是 DRAM（不會被任何 EM/XPoint 取代）

記憶牆是真實的，而且越來越糟

三星和 SK 海力士考慮成本和市場需求的不僅僅是揭示新技術節點，這與美光不同。

計算存儲/內存正在變得流行

CXL將成為存儲和數據中心的主流

MRAM 在嵌入式設備中越來越普遍

FLASH+HDD等混合存儲系統仍未死

元數據管理越來越重要

Optane XPoint 內存已不復存在，CXL-DRAM/NAND 內存將取而代之，用於 SCM 應用。

IC Insights 預測，今年 NAND 閃存資本支出將增長 8% 至 299 億美元，超過 2018 年 278 億美元的歷史新高（圖 1）。閃存資本支出在 2017 年飆升，當時該行業向 3D NAND 過渡，此後每年都超過 200 億美元。2022 年，閃存的資本支出預計將增至 299 億美元，因為大型供應商和小型供應商又將保持適度激進的支出水平。

圖1

299 億美元的支出占 2022 年整個 IC 行業資本支出預測 1904 億美元的 16%，僅落後於晶圓代工部門，該部門預計將占今年行業資本支出的 41%。

新的和最近升級的 NAND 閃存工廠包括三星的 Pyeongtaek Lines 1 和 2（也用於 DRAM 和代工）；三星在中國西安的二期投資；鎧俠在日本岩手的 Fab 6 (Flash Ventures) 和 Fab K1；和美光在新加坡的第三家閃存工廠。此外，SK 海力士為其 M15 工廠的剩餘空間配備了 NAND 閃存。

在預測期內，隨着 NAND 閃存供應商準備從 2022 年底到 2023 年進入 200 層以上設備的競爭，將需要新的晶圓廠和新設備。三星和美光可能是第一個開始量產的公司今年晚些時候的 200 層設備。兩家公司以及 SK 海力士目前都在量產 176 層 NAND。三星位於中國西安的晶圓廠是（並將成為）領先 NAND 的關鍵製造地點，擁有兩個晶圓廠，每個晶圓廠全面投產後每月可生產 120,000 片晶圓。隨着對企業存儲應用的日益關注，SK 海力士預計將在 2023 年遷移到 196 層。

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