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來源:本文由半導體行業觀察編譯自eenewseurope。

德州儀器一直被強調為芯片短缺的主要供應商,並且一直在通過即將上線的新晶圓廠和收購美光在猶他州的晶圓廠來提高產能。

該公司已宣布計劃在德克薩斯州謝爾曼的一個工廠建造多達四個 300 毫米晶圓廠。這些將補充 TI 現有的 300mm 晶圓廠,其中包括位於德克薩斯州達拉斯的 DMOS6、RFAB1 和即將在德克薩斯州理查森完成的 RFAB2,預計將於 2022 年下半年開始生產。此外,位於 Lehi 的 LFAB、猶他州預計將於 2023 年初開始生產。前兩個晶圓廠的建設將於2022年開始,並於2025年投產。

日前,據eenewseurope報道,德州儀器已開始在 RFAB2 進行初始生產,這是該公司位於德克薩斯州理查森的第二個 300 毫米晶圓廠。

RFAB1 於 2009 年開始生產芯片,TI 承諾於 2019 年在該場地建造第二個晶圓廠(參見德州儀器關閉兩個晶圓廠,建設一個)。RFAB2 是 TI 正在建設或重建的六座 300 毫米晶圓廠之一。

其中包括從 Micron Technology Inc. 購買的位於猶他州 Lehi 的 LFAB(參見TI 以 9 億美元收購美光在猶他州的晶圓廠),以及對位於德克薩斯州謝爾曼的四家晶圓廠的 300 億美元投資。第一座和第二座晶圓廠的建設正在進行中,第一座晶圓廠預計將於 2025 年投產(參見TI 將在德克薩斯州建造多達四個新的 300 毫米晶圓廠)。

RFAB2 比 RFAB1 大 30%。兩家晶圓廠將共同提供超過 630,000 平方英尺的潔淨室空間,在全面投產時,晶圓廠每天將生產 1 億個模擬芯片。

「我們的 300 毫米晶圓廠擴建在 TI 的未來增長以及我們數十年來支持客戶需求的能力方面發揮着重要作用,」負責製造運營的高級副總裁 Mohammad Yunus 說。「我為取得的進展感到自豪,我期待在未來幾個月內繼續提高 RFAB2 的 300 毫米產量。」

*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點讚同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。

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