消費電子產品、電子整機等市場體量在近幾年增長迅速，產業鏈對於 MOSFET 的需求也水漲船高。伴隨大功率快充技術的普及，電源廠商對 MOS 器件的耐壓、內阻等各維度性能也提出了更高的要求；而隨着汽車電氣化、5G 商用化進程的深入推進，市場對於 MOSFET 的需求也朝着多元化方向發展。
威兆TOLL封裝MOS新品問世
TOLL封裝適用於中低壓 MOS（耐壓40V～150V，電流300A max）、超結 SJ-MOS 的封裝，package 厚度 2.3mm，占板面積 115m㎡。相比 TO-263-6L，TOLL占板面積縮小30％，高度減小50％，節省了寶貴的 PCB 應用空間，而且熱阻更小從而散熱效率更高，封裝寄生電感更小，有助於降低生產成本和散熱解決方案成本、提高功率密度。
威兆半導體近期推出了9款採用 TOLL 封裝的 NMOS 產品，BVDSS（漏源擊穿電壓）有 40V、80V、100V、150V 可選，VGS 耐壓達 ±20/25V，ID（漏極電流）涵蓋 100A~325A。
威兆 VSK002N10HS-G 是一款漏源擊穿電壓 100V 的N溝道 MOS，採用 TOLL 封裝，VGS 耐壓 ±25V，Vth 為 2.1~3.1V，漏極電流最高 325A，VGS 為 10V時導通電阻 RDS(on) 典型值為 1.7mΩ，適用於 USB PD 電源、電池保護、電機控制等應用場景。
威兆 VSK009N15HS-G 是一款漏源擊穿電壓 150V 的N溝道 MOS，採用 TOLL 封裝，VGS 耐壓 ±25V，Vth 為 2.6~3.6V，漏極電流最高 100A，VGS 為 10V時導通電阻 RDS(on) 典型值為 9.2mΩ，適用於通信電源、電池保護、電機控制等應用場景。
充電頭網總結
威兆半導體此次採用的 TOLL 封裝，相比 TO-263-6L 封裝不僅有着更小的體積和占板面積，而且具備低封裝寄生和電感效應，以及出色的 EMI 表現和熱性能；TOLL 封裝擁有可焊側翼，可以很好滿足高安全性和高可靠性的大功率應用場景。
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