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設計具有亞納米距離的有序納米晶陣列可以為未來的納米應用提供有前景的材料。然而,使用傳統的光刻、模板或自組裝策略在亞納米範圍內製造精度可控的定向陣列面臨許多挑戰。

鑑於此,蘇州大學邵琪、邵名望、康振輝、劉陽,馬普所Zhiwei Hu等報告了一種二維層狀亞穩態氧化物--三相氧化銠(空間群,P-3m1),它提供了一個平台,可以在六邊形圖案中構建有序的面心立方銠納米晶體陣列,表面內距離僅為0.5 nm。在這種催化劑中,有序的銠陣列和可變質基質的耦合引發並改善了氫的溢出,加強了酸性氫的演化,以促進氫氣生成。

本文要點
要點1.通過射頻加熱方法成功地獲得了一種亞穩氧化物,即三角相RhO2。以三方相RhO2為前驅體,在三方氧化銠上形成了有序的納米晶陣列,其有限的表面間距為0.5  nm。納米晶陣列和2D亞穩態襯底之間的獨特耦合使得有效的氫溢出,增強析氫反應。

要點2.該催化劑在電流密度為-10 mA cm-2時實現了僅9.8 mV的低過電位,24.0 mV dec-1的低Tafel斜率,以及在-0.4 V的高電位(相對於RHE)下的高穩定性(電流密度約為750 mA cm-2)。這項工作強調了亞穩態材料在設計先進材料以實現高性能催化方面的重要作用。

Fan, Z., Liao, F., Ji, Y. et al. Coupling of nanocrystal hexagonal array and two-dimensional metastable substrate boosts H2-production. Nat Commun 2022, 13, 5828.

DOI: 10.1038/s41467-022-33512-5

https://doi.org/10.1038/s41467-022-33512-5

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