鑽石舞台

近日，由徐現剛教授領銜的山東大學晶體材料所和南砂晶圓團隊採用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑獲得了8英寸4H-SiC籽晶，用於8英寸導電型4H-SiC晶體生長，並加工出厚度520 μm的8英寸4H-SiC襯底。使用拉曼光譜、全自動顯微鏡面掃描、非接觸電阻率測試儀面掃描和高分辨XRD搖擺曲線對襯底的晶型、微管、電阻率和結晶質量進行了表徵。襯底顏色均一併結合拉曼光譜表明襯底4H-SiC晶型面積的比例為100%；襯底微管的密度小於0.3 cm-2；襯底電阻率範圍20~23 mΩ·cm，平均值為22 mΩ·cm；（004）面高分辨X射線搖擺曲線半峰寬32.7弧秒，表明襯底良好的結晶質量。

圖：8英寸導電型4H-SiC晶錠與8英寸導電型4H-SiC襯底

2022年9月7日，昭和電工宣布，他們已成功產出8英寸SiC外延片，並開始提供樣品，而且採用的是自產的8英寸SiC襯底。昭和電工表示，他們的SiC外延片市場占有率已居世界第一。該公司於2021年開始全面開發8英寸碳化硅外延片，並開始同步使用其內部生產的8英寸SiC襯底進行SiC外延片研發並出貨樣品。一直致力於使用本公司的襯底進行產品開發，旨在擴大200mm SiC外延片的生產，建立穩定的供應體系，進一步提高產品質量。

今年5月，昭和電工宣布將參與日本新能源和工業技術開發組織（NEDO）的綠色創新基金項目，提出了「開發用於下一代綠色功率半導體的SiC晶片技術」的計劃，目標是將SiC外延片和SiC襯底的直徑增加到8英寸，並將缺陷密度降低一位數以上。他們將利用本次出樣的8英寸SiC外延片積累的知識和成果，實現上述計劃。

昭和電工在碳化硅領域一直是「穩中求進」，除了在8吋碳化硅上實現大突破，今年3月底，他們的6吋碳化硅襯底也宣布量產。而近些年來，昭和電工也多次進行了碳化硅擴產。去年8月，他們發行3519萬股新股，籌得約64.56億人民幣資金，其中約700億日圓（約41.35億人民幣）將用於擴增SiC晶圓等半導體材料產能。從昭和電工公布的計劃投資細則來看，用於碳化硅襯底等方面擴產的資金約為58億日圓（3.4億人民幣），擴產項目預計2023年12月完工。

9月16日，中國電建集團官網宣布，由國家電網主導的多功能柔性變電站示範工程於9月14日在河北省保定市的徐水驛站順利投運，據悉，這是世界首個基於35kV全SiC的變電站項目。這個柔性變電站，採用的是全國產的6500V/400A的SiC MOSFET模塊。據英利集團官方微博，該項目位於容易線(容城——易縣)驛站，而雄安新區由容城縣、雄縣和安新縣構成。

該柔性站工程是基於國重科研項目「高壓大功率SiC材料、器件及其在電力電子變壓器中的應用示範」的零碳交通能源互聯網綜合示範工程。該工程建設1台10兆伏安35千伏交流變壓器、1台5兆伏安碳化硅電力電子變壓器和1台500千伏安碳化硅電力電子變壓器，涵蓋35千伏（交流)/10千伏(交流)/0.4千伏(交流)/±375V(直流)/240V(直流)等多個交直流電壓等級。同時建設110千瓦分布式光伏發電系統（包括屋頂光伏和立面光伏）、2×25千瓦時儲能系統、2000千瓦電動重卡換電負荷和100kW直流數據中心等。

項目建設單位認為，碳化硅變壓器將在新型電力系統中開闢出全新的應用，對電力系統的發展和變革產生持續的重大影響，對配網新型電力系統業務開拓具有重要的引領作用，也將積極助推3060目標的實現。

行業專家認為，碳化硅產業會有兩波應用浪潮，第一波在電動汽車領域，第二波在電網領域，而未來電網的需求將比新能源汽車更大。

目前，整個電力系統中，發電端（風、光、水等）以及用電端（汽車、數據中心、充電樁等）都已經用到了綠色節能的碳化硅技術，而輸電側和配電側也在積極導入碳化硅，以實現能源轉型，已經實現更大的經濟效益。

根據南方電網2020年的研究，以±350 kV/1000 MW柔性直流工程為例，採用全碳化硅器件的10 kV/1500 A柔性直流功率變換單元後，在額定工況下，整個直流工程兩側換流站採用碳化硅器件方案的功率損耗約為10.69 MW，採用硅器件方案的功率損耗約為16.23 MW。結果顯示，採用碳化硅器件方案可減少約34.2%的換流閥損耗，顯著降低對冷卻設備的要求，減小設備的體積與重量，可節約散熱系統投資55.4萬元。此外，採用碳化硅器件方案每年可節省4.86×107 kWh電能，按照最低的普通居民用戶電價0.5元/kWh來估算，每年所節省的電能損耗即可產生直接經濟效益2430萬元。

均勝電子官微宣布，2022年以來，他們累計新獲800V SiC高壓平台項目定點全生命周期訂單總金額約90億元。

均勝電子是一家全球汽車電子與汽車安全頂級供應商，成立於2004年，總部位於寧波。2011年，均勝電子在上海證券交易所上市。根據《中國汽車報》排名，均勝電子位居全球汽車零部件企業第37名。從2011年至今，均勝電子還完成了多次併購。2022年上半年，均勝電子實現營業收入約229億元，同比減少約3%。歸屬於上市公司股東扣非淨利潤約0.82億元，實現扭虧為盈。

均勝電子表示，汽車電子是均勝電子的重要發展方向。電動出行普及的速度正在加快，這很大程度歸功於車輛充電的高壓化和高功率化，從而縮短充電時間，提高續航里程，800V高電壓快充隨之漸漸成為主流。對此，均勝電子的子公司均勝普瑞（Preh）於2019年推出800V SiC技術，率先應用於保時捷Taycan車型。此外，均勝電子旗下還有DC/DC電壓轉換模塊等產品，可以與OBC和PDU形成三合一功率電子產品，幫助車輛節省空間和降低成本。均勝電子除了「攻下」了外國豪車保時捷，它同時也是國內車企一汽紅旗的重要供應商。

1、小鵬G9：國內首款採用800V高壓SiC平台的量產車

9月21日晚發布會，小鵬G9新能源電動車，定位「超快充全智能SUV」，新車售價30.99萬元-46.99萬元，有望於2022年10月底開始正式交付。值得注意的是，小鵬G9是國內首款搭載800V碳化硅高壓電驅平台量產電動車，配備三元鋰電池，將於9月份上市，今年第四季度開啟交付。

2、900V！廣汽SiC跑車發布

9月15日晚，廣汽埃安旗下的超跑車型Hyper SSR正式發布，該車型號稱是「中國第一超跑」，零百加速僅需1.9秒。該車將搭載900V SiC電驅，100%埃安自主設計、自主研發、自主智造。此外，Hyper SSR搭載了900V的碳化硅芯片，功耗能夠降低80%，工作頻率提高2.5倍。該車型的2款型號預售價分別為128.6萬元、168.6萬元，將於2023年10月量產交付。

此前，7月19日，廣汽埃安自研的超高性能「四合一」電驅正式生產下線，這款電驅採用了碳化硅逆變器，是埃安的第二代基於碳化硅技術的集成電力驅動系統，兼容高低壓平台，功率密度國內領先。該電驅能提供12000牛米的輪上峰值扭矩，能帶來1.7G的強勁推背感，1225馬力達到F1賽事標準的1.5倍。

3、Ariel的SiC跑車Hipercar亮相，目標是在2024年量產

據外媒報道，近日，超跑製造商Ariel公布了代號為Hipercar的電動跑車原型，這款車配備了燃氣渦輪增程器，可通過使用燃料為電池充電，或採用電池充電增加續航；更重要的是它還搭載了碳化硅電動車軸，僅需4.4秒即可達到160公里/小時的速度。Ariel的SiC跑車目標是在2024年開始生產，屆時將一併公布定價信息。

Hipercar超跑項目亮點是極致性能、敏捷性、可用性和超低排放。據悉，Hipercar將提供四驅和兩驅版本，其中頂級車型配備四電機全輪驅動動力系統，每個車軸上都有兩個電機；每個電機通過單速變速器驅動一個車輪，系統的組合輸出為1180馬力。該項目第一階段由Ariel與合作夥伴Equipmake、Delta Motorsport共同推進，並在2017 LCV-Cenex 展會上展示了兩驅和四驅原型。另外在2022 LCV-Cenex展會上，配備在Ariel Hipercar上的電動車軸也首次亮相。該產品將Equipmake自產的碳化硅逆變器和先進的3D打印電動機等集合在一個緊湊的單元中，能夠直接為車輛的車軸提供動力。Ampere-220電動車軸以雙電機規格首次亮相，每軸提供440kW的峰值功率，總重量僅為85kg。Ampere電動機峰值功率為220kW，最大電機轉速為30000 rpm。同時它也極其輕便，重量不到20公斤，能夠提供每公斤11千瓦的功率密度——是傳統電動機的兩倍多。其性能的關鍵在於高性能碳化硅逆變器以及一個集成傳輸系統，實現了高性能、高度緊湊和輕量化。

1、超芯星65億SiC項目落戶南京年產量將提升至150萬片

9月1日，南京江北新區舉辦金秋重點產業項目簽約會。會上，32個產業項目集中簽約，投資總額達455億元。值得注意的是，簽約項目中包括「碳化硅襯底關鍵技術研發及產業化項目」，總投資65億元。

該碳化硅襯底項目的建設單位是超芯星。根據超芯星官微消息，7月26日，他們的6英寸碳化硅襯底被美國器件廠商所採用。同時，為滿足國內外市場的訂單，他們正在有序交貨及穩步擴產，計劃將6-8英寸碳化硅襯底的年產量提升至150萬片。

超芯星聯合創始人袁振乾此前曾透露，他們三期擴產規劃已經啟動，規劃產能30-50萬片，是目前產能的15-25倍。B輪融資也已經啟動，預計今年會有兩輪融資。截至2021年11月，超芯星已完成數億元A+輪融資。

2、SK新工廠剪彩，計劃今年6英寸SiC襯底的產能提高到12萬片/年

9月1日，SK官網宣布，其美國子公司SK Siltron CSS在密歇根州貝城的SiC襯底新工廠正式建成投產。這將使當地員工人數增加一倍，並在未來幾年內將製造能力提高四倍。同時，他們計劃今年將6英寸SiC襯底的產能提高到12萬片/年，未來目標年產能沖50萬片。目前，SK Siltron正在與主要客戶進行樣品測試，計劃到今年11月，他們的6英寸SiC襯底將全面商業化。

根據報道，2021年7月，SK宣布投資3億美元（約合人民幣20.7億元）擴建碳化硅襯底工廠，以此來擴大碳化硅晶圓製造和研發能力。除此之外，SK Siltron也在進行第二階段的6吋碳化硅襯底擴建投資，預計將於2025年完成，屆時SK Siltron的6吋碳化硅襯底產能將增加到每年50萬片。2022年7月，SK Siltron稱，到2026年美國的碳化硅襯底項目投資金額合計要達到6億美元（約41億人民幣）。8英寸SiC襯底研發方面，SK Siltron希望通過與大功率半導體客戶的技術合作，以2023年底實現量產為目標，推進相關產品開發。

3、KISAB：5260萬元融資將用於無缺陷碳化硅襯底的生產

9月12日，KISAB官網發布消息稱，他們已經完成了750萬歐元（約合人民幣5260萬元）融資，資金將用於擴大其無缺陷碳化硅襯底的生產。本輪融資由Fairpoint Capital領投，Industrifonden、LPE等現有投資者跟投。據Fairpoint Capital投資總監Hadar Cars介紹，「KISAB能夠生長無缺陷的SiC襯底，同時也將於不久後量產無缺陷的8英寸SiC襯底。」

公開資料顯示，KISAB成立於2017年，總部位於瑞典斯德哥爾摩。根據官網，KISAB開發了可生產高質量碳化硅襯底的FSGP-M工藝（快速升華生長工藝）。據稱該工藝可最大限度地減少襯底缺陷。據KISAB公司介紹，以往通過PVT法生長的6英寸SiC襯底中，BPD密度大約為2000 cm-2，與之相比，在同樣尺寸下，FSGP-M可將BPD密度降至＜1cm-2。而且相比PVT，FSGP-M還有一個優勢——可在低於2000℃的溫度下生長。

FSGP工藝源自林雪平大學，是由Rositza Yakimova教授和Docent Mikael Syväjärvi副教授等人共同開發，他們還利用該工藝生產了用於太陽能電池和石墨烯的立方碳化硅。同時，KISAB還開發了一種CVD工藝，用於生產FSGP-M工藝中使用的源材料，可大幅降低製造高質量碳化硅襯底的成本。

4、Wolfspeed：又投90億，再建8吋SiC廠

9月9日，Wolfspeed官網宣布，他們將投資約13億美元（約90億人民幣），在北卡羅來納州新建一個號稱世界上最大的碳化硅襯底工廠。新工廠計劃建於查塔姆縣（Chatham County），臨近Wolfspeed 已建成的達勒姆（Durham）碳化硅襯底工廠。這是Wolfspeed在美國建設第3個碳化硅工廠，而且是8英寸SiC，計劃投資近90億人民幣，產能將再增加10倍。查塔姆新工廠建成將使他們的碳化硅產能增加10倍以上，主要生產8吋碳化硅襯底，供應Wolfspeed的紐約莫霍克谷工廠。

過去3年，Wolfspeed獲得了749億SiC訂單，面對龐大的市場需求，Wolfspeed曾明確表示將建設一個新工廠。據悉，該項目一期工程預計2024年完成，耗資約13億美元（約90億人民幣）；未來還將持續增加額外的產能，工廠占地面積將超過100萬平方英尺。

5、青禾晶元：融資2億，用於新建產線擴大生產

9月7日消息，北京青禾晶元半導體科技有限責任公司已經完成了近2億元A++輪融資，資金將主要用於新建產線擴大生產。公開資料顯示，青禾晶元成立於2020年7月。青禾晶元董事長母鳳文曾表示，青禾晶元要做的事情，就是使用先進異質集成技術來提高碳化硅良率、降低成本。

今年6月，青禾晶元副總經理王曉宇在接受清華大學採訪時曾提到，他們公司成立不到兩年已完成3億元融資。截至目前，青禾晶元半導體已完成6輪融資。據了解，青禾晶元自成立以來，他們還在山西、江蘇等地有相關的項目布局：2020年7月，天津中科晶禾電子科技在天津濱海高新區成立；2021年9月，菲科半導體在江蘇省張家港高新區成立；2021年12月，青禾晶元（晉城）半導體在山西省晉城市成立；2022年1月，青禾晶元（天津）半導體成立。

6、瑞能半導體：投資9.4億，在北京建設6吋晶圓線

9月7日，「順義科創」報道稱，瑞能半導體子公司的第三代半導體項目舉行了建設開工儀式。

據悉，瑞能微恩半導體（北京）項目計劃投資9.4億元，租賃總面積3萬餘平方米，主要建設6吋晶圓生產線，預計2025年可達滿產，實現年產能12萬片，將為華為、海拉、比亞喬等機動車品牌提供服務。順義區委常委、副區長徐曉俊在現場講話中還提到，瑞能微恩還將計劃建設二期項目。

瑞能微恩是瑞能半導體的全資子公司，成立於2021年12月。而瑞能半導體成立於2015年8月，曾是恩智浦旗下的上海一條事業線。根據招股書，瑞能半導體的碳化硅營收情況為：2019年963.29萬元，占比1.64%。最近，瑞能半導體還推出了1700V的SiC MOSFET。

8、廣州南沙區：南砂晶圓子公司中晟芯科投資7500萬元，計劃年研發1200片的碳化硅肖特基二極管

9月8日，由廣東中晟芯科半導體有限公司建設的碳化硅功率半導體芯片實驗室項目發布環評公示。根據環評，該碳化硅項目總投資7500萬元，計劃年研發1200片各類碳化硅肖特基二極管。項目建設地點為廣東省南沙區，占地面積2000平方米。公開資料顯示，中晟芯科成立於2021年5月，主要專注於碳化硅大功率芯片研發、生產及銷售，產品可廣泛應用於新能源汽車、工業及商業電源、軌道交通、消費類電子等領域。中晟芯科是南砂晶圓（成立於2018年9月）的控股子公司。去年9月，南砂晶圓總投資9億元的碳化硅項目1#、2#、3#、4#廠房主體結構全面封頂，計劃將公司業務從晶體生長、襯底加工延伸到外延加工環節，達產後年產各類襯底片和外延片共20萬片。

9、安徽蕪湖：芯塔電子、威邁斯和米格半導體新增3個SiC相關項目，涉及SiC模塊、OBC/逆變器和檢測

9月7日，「大江資訊」官微發布消息稱，總投資22億元的6個第三代半導體及汽車電子項目集中簽約並落戶安徽蕪湖，簽約企業包括芯塔電子、深圳威邁斯、米格半導體等。

芯塔電子是國內具有代表性的SiC器件公司，他們新一代產品的材料、設計、代工等環節均在國內完成，加快了中國SiC MOSFET器件的國產化進程。

目前，芯塔電子簽約的項目並未有具體信息的披露。「行家說三代半」猜測，他們此次簽約或將建設SiC模塊線。

威邁斯是OBC、DC-DC、逆變器等代表性企業，今年6月，上交所受理了威邁斯的科創板IPO。在車載電源產品中，威邁斯通過使用高耐壓的SiC MOSFET替代硅基MOSFET，使得產品的轉換效率有所提升。同時，為解決充電慢問題，他們也在開發800V碳化硅高壓平台。

截至目前，威邁斯公司已經成功將SiC MOSFET應用在 11kW 車載電源產品及 40kW 液冷充電樁模塊產品中，並實現了量產發貨，2021年實現銷售收入約6888萬元。

蕪湖米格半導體是米格實驗室於2021年10月設立的分公司，將投資1.3億元建設「蕪湖市第三代半導體一站式檢測服務平台」檢驗項目。

據了解，米格實驗室成立於2016年4月，實現了高校—企業—科研院所三方實驗資源的共享利用。

10、增資近3億！12萬片SiC項目啟動

9月14日，東尼電子發布公告稱，旗下全資子公司東尼半導體擬通過增資擴股方式，引入投資者湖州織鼎信息技術服務有限公司，增資金額為2.8億元，資金主要用於年產12萬片的SiC襯底項目。此項目為2021年4月東尼半導體非公開發行募投項目，募集資金總額約為4.68億元。東尼電在2022年半年度業績說明會上表示，「年產12萬片碳化硅半導體材料」預計將於2023年11月達產。

本輪增資前，東尼半導體為東尼電子的全資子公司；增資完成後，織鼎信息持有東尼半導體28%的股權，東尼電子持有東尼半導體72%股權，東尼半導體由東尼電子全資子公司變更為控股子公司。本次增資完成後，該項目的實施方式也由全資子公司單獨實施變更為合資經營。

11、綠能芯創再建SiC芯片線，總投資35億元

9月16日，據「合肥新站區」官微消息，安徽合肥新站高新區與綠能芯創舉行了6吋碳化硅半導體芯片生產線建設項目簽約儀式，雙方相關負責人參加並見證簽約儀式。該項目總投資約35億元，建築面積9萬平方米，產品主要為碳化硅電力電子芯片及器件。

12、同芯積體簽約落戶長春，160億、年產2.5萬顆

9月17日，長春市政府與同芯積體簽訂戰略合作框架協議，目的是加快第三代半導體產業園項目合作。根據此前報道，該項目投資金額達160億元。今年1月，同芯積體與長春二道區政府簽約建設第三代半導體產業園項目，該項目投產後將建設年產2.5萬顆6英寸碳化硅晶錠及相關延鏈產品的生產線，為汽車、軌道客車、光學設備等產業提供配套產品。

13、安森美第5次擴建SiC廠

9月21日，據安森美官網消息，他們將擴建位於捷克的羅茲諾夫（Roznov）工廠，未來兩年將投資4.5億美元（近32億元人民幣），將SiC晶圓拋光和外延片的產能提高16倍。這是安森美第5次擴建SiC工廠，前4次擴產如下：

（1）2021年，擴建美國碳化硅工廠，襯底產能擴充5倍；

（2）2022年7月，投資67億擴建韓國碳化硅工廠。

（3）2019、2021年分別擴建捷克工廠，投資超過1.5億元。

這也是安森美在捷克工廠第3次擴產SiC產能。從2019年開始，安森美就在捷克工廠增加SiC拋光和SiC外延製造工藝。2021年開始又重建新廠房，以進一步擴大晶圓和SiC外延製造能力。據悉，安森美已經在捷克工廠投資超過1.5億美元（約10.6億人民幣），他們計劃到2023年再投資3億美元（約21.3億人民幣），此次擴建要將工廠的SiC生產能力提高16倍，到2024年底創造200個工作崗位。安森美執行副總裁兼總經理SimonKeeton表示，「連同我們在美國的哈德遜SiC工廠的擴建，捷克工廠新增的SiC製造能力將使安森美能夠為客戶提供關鍵的供應保證，以滿足對基於SiC的解決方案快速增長的需求。」

根據安森美2022年Q2財報，他們未來3年的SiC在手訂單超過270億元，為此，安森美這兩年接連在美國和韓國擴建2個碳化硅工廠，投資金額接近100億人民幣。

（1）美國SiC襯底工廠擴產5倍：2021年8月，安森美以4.15億美元現金（約28億人民幣）收購了GTAT，並着手在哈德遜工廠擴建4萬平方英尺的工廠場地，安裝了新的SiC熔爐，目前哈德遜工廠總製造空間已達到27.2萬平方英尺。2022年8月9日，安森美哈德遜的碳化硅新工廠已完成擴建，計劃將襯底產能擴充5倍。

（2）韓國工廠投資約67億：7月7日，安森美還宣布在韓國京畿道富川市投資10億美元（約67億人民幣），建設一個碳化硅研究中心及製造工廠。預計到2025年，該生產線SiC半導體產能將擴大到目前的10倍以上。

總體來說，安森美的SiC襯底是在美國生產，拋光和外延是在捷克工廠完成，芯片前端處理、減薄、背面金屬和晶圓驗收測試(WAT)/分類測試均在韓國富川完成，然後在中國和馬來西亞進行器件和模塊組裝。

來源：安美森

14、蘇州賽晶CIDM特色工藝製造項目簽約落戶蘇州高新區，多家企業聯手

9月19日，蘇州賽晶CIDM特色工藝製造項目簽約落戶蘇州高新區，據分析，該項目除了生產硅基MEMS器件，還將生產SiC器件等化合物半導體，業務模式為CIDM（共享晶圓代工）製造。該項目是由北京賽微電子聯合深圳森國科等多家半導體企業共同投資建設。此次聯手森國科等企業，意味着該項目將會生產碳化硅功率器件。

2018年，森國科開始研究設計SiC器件。目前，其SiC器件已經大批量出貨，良率已經超過97%，採用和試用的合作客戶也超過了200家。2021年，森國科開始投入SiC MOSFET的研發，目前650V、1200V、1700V系列SiC MOSFET已經開始給客戶送樣，並表示2023年之後還將不斷豐富產品系列。賽微電子在第三代半導體領域採取2條技術路線，除了碳化硅外，他們還建設了氮化鎵項目。據了解，賽微電子成立於2008年5月，2015年5月在深圳上市，主要業務包括MEMS芯片的工藝開發及晶圓製造、GaN外延材料生長與器件設計等。根據賽微電子2022年半年報，在GaN外延材料方面，他們基於自身掌握的8英寸硅基GaN外延與6英寸碳化硅基GaN外延生長技術，目前正在開展與下游全球知名晶圓製造廠商、半導體設備廠商等的合作，並進行交互驗證。GaN芯片方面，賽微電子已推出數款GaN功率芯片產品，目前已進入小批量試產，開始簽訂GaN芯片的批量銷售合同並陸續交付。

15、天岳8寸SiC研發成功，投資1億元推進量產化

9月19日，天岳先進發文稱，目前公司8英寸碳化硅襯底研發進展順利，晶型均一穩定，具有良好的結晶質量。而且，天岳先進從籽晶入手，在粉料合成、熱場設計、工藝固化、過程控制、加工檢測等全流程實現技術自主可控。接下來，天岳將在前期自主擴徑實現8英寸產品研發成功的基礎上，繼續加大技術和工藝突破，並根據市場需求，積極布局產業化。從天岳的2022年半年度報告發現，他們計劃投資1億元建設「8英寸寬禁帶碳化硅半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術項目」。

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