來源:內容由半導體行業觀察(ID:icbank)轉載自公眾號芯思想,作者:趙元闖,謝謝。
2021年全球集成電路、面板、LED用光刻機出貨約650台,較2020年增加70台。其中集成電路製造用光刻機出貨約500台;面板、LED用光刻機出貨約150台。
一、前三大出貨情況
2021年,前三大ASML、Nikon、Canon的集成電路用光刻機出貨達478台,較2020年的413台增加65台,漲幅為15%+。
從EUV、ArFi、ArF三個高端機型的出貨來看,2020年共出貨152台,較2020年的143台增長6%+。其中ASML出貨145台,占有95.4%的市場,較2019年增加10.4個百分點;Nikon出貨7台,占有4.6%的市場,較2020年15%減少10.4個百分點。
EUV方面還是ASML獨占鰲頭,市占率100%;ArFi方面ASML市占率高達96%,較2020年增加10個百分占;ArF方面ASML占有88%的市場份額,較2020年增加21個百分點;KrF方面ASML也是占據75%的市場份額,較2020年增加4個百分點;在i線方面ASML也有21%+的市場份額。
從總營收來看,2021年前三大ASML、Nikon、Canon的光刻機總營收達1076億元人民幣,較2020年小幅增長8.9%。從營收占比來看,ASML占據80%的份額。
ASML
2020年ASML光刻機營收約854億元人民幣,較2020年成長32%。
2021年ASML共出貨309台光刻機,較2020年258年增加51台,增長20%。其中EUV光刻機出貨42台,較2020年增加11台;ArFi光刻機出貨81台,較2020增加13台;ArF光刻機出貨22台,和2018年持平;KrF光刻機出貨131台,較2020年增加23台;i-line光刻機出貨33台,和2020年33台基本持平。
2021年ASML的EUV光刻機營收占光刻機整體收入的48%,2021年單台EUV平均售價超過9.5億元人民幣,較2020年單台平均售價增長3%。
從2011年出售第一台EUV機台以來,截止2021年第四季出貨達143台。2021年EUV光刻機共加工晶圓超過3300萬片,超過2011-2020年的總和。
2021年第二季,第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻機已經交付給客戶,相比之前的NXE:3400C生產力提高了15-20%,套刻精度提高約30%。
2020年來自中國的光刻機收入約140億元,和2020年持平,與中國大陸晶圓廠擴產的步驟基本一致。
Nikon
2021年度,Nikon光刻機業務營收約112億元人民幣。
2021年度,Nikon集成電路用光刻機出貨29台,較2020年減少4台。其中ArFi光刻機出貨4台,較2020年減少7台;ArF光刻機出貨3台,較2020年度減少8台;KrF光刻機出貨5台,較2020年度增加3台;i-line光刻機出貨17台,較2020年度增加8台。
2021年度,Nikon全新機台出貨9台,翻新機台出貨20台。
2021年,Nikon面板(FPD)用光刻機出貨49台,較2020年大幅增漲145%。其中10.5代線用光刻機出貨,共出貨17台。
Canon
2021年,Canon光刻機營收約為110億元人民幣。
2021年,Canon的半導體用光刻機是i-line、KrF兩類機台出貨,光刻機出貨量達140台,較2020年出貨增加18台,增幅15%;其中i-line機台是出貨的主力,出貨102台。
佳能在2021年3月出貨新式i線步進式光刻機「FPA-3030i5a」,可以對硅基以及SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)等化合物半導體晶圓,從而實現多種半導體器件的生產製造。。
2021年,Canon面板(FPD)用光刻機出貨67台,較2020年出貨量增加35台。
二、其他公司情況
其他光刻機、電子束曝光機、激光直寫設備廠商還包括上海微電子、蘇大維格、芯碁微裝、影速,日本Elionix、德國Heidelberg Instruments、德國Raith、德國SUSS、美國ABM、奧地利EVG、美國VEECO、英國DMO、英國NanoBeam(NBL)、日本JEOL、以色列Orbotech(屬於美國KLA)等。
這些公司有的主要針對集成電路先進封裝、MEMS、LED、面板,有的針對PCB領域,有的針對掩模領域,有的主要是針對高校科研機構。
上海微電子SMEE
上海微電子裝備(集團)股份有限公司光刻機主要用於廣泛應用於集成電路前道、先進封裝、FPD、MEMS、LED、功率器件等製造領域出貨主要集中在先進封裝、LED和FPD領域。
2021年9月18日,宣布推出新一代大視場高分辨率先進封裝光刻機,主要應用於高密度異構集成領域,具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光視場等特點,可幫助晶圓級先進封裝企業實現多芯片高密度互連封裝技術的應用,滿足異構集成超大芯片封裝尺寸的應用需求,同時將助力封裝測試廠商提升工藝水平、開拓新的工藝,在封裝測試領域共同為中國集成電路產業的發展做出更多的貢獻。據悉2022年2月7日中國首台2.5D/3D先進封裝光刻機發運。2022年2月,美國商務部工業與安全局宣布上海微電子裝備(集團)股份有限公司列入「未經核實清單」。
三、納米壓印技術發展
1995年,華人科學家周郁(Stephen Chou)教授首次提出納米壓印(Nanoimprint Lithography,NIL)概念,從此揭開了納米壓印製造技術的研究序幕。
納米壓印技術首先通過接觸式壓印完成圖形的轉移,相當於光學曝光技術中的曝光和顯影工藝過程,然後利用刻蝕傳遞工藝將結構轉移到其他任何材料上。納米壓印技術將現代微電子加工工藝融合於印刷技術中,克服了光學曝光技術中光衍射現象造成的分辨率極限問題,展示了超高分辨率、高效率、低成本、適合工業化生產的獨特優勢,從發明至今,一直受到學術界和產業界的高度重視。
佳能(Canon)從2004年開始一直秘密研發納米壓印技術;直到2014年收購美國從事納米壓印基礎技術研發的Molecular Imprints公司(現Canon Nanotechnologies公司)才公開。
最新的納米壓印(NIL)的參數指標不錯,套刻精度為2.4nm/3.2nm,每小時可曝光超過100片晶圓。
據悉,納米壓印(NIL)已經達到3D NAND的要求,2017年7月日本3D NAND大廠鎧俠(Kioxia,原東芝存儲部門)已經開始使用此設備。在3D NAND之外 也可以滿足1Anm DRAM的生產需求。
佳能和大日本印刷(DNP)、鎧俠合作,在技術研發中NIL已經可以處理高達5nm的電路線寬。大日本印刷通過模擬測試發現,在形成電路過程中每個晶圓的功耗僅為使用EUV光刻的十分之一左右。
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