開始一個新的essay，想知道哪些人在做相同或相似的研究，他們發表了哪些文獻？
準備學院和課題組的開題報告，和導師定了方向和題目，想了解該領域研究前沿、有沒有最相關的研究？
圖書館開題文獻推薦旨在為博碩士研究生論文寫作初期提供個性化支持服務，聚焦其論文寫作或學位論文開題前的文獻調研和文獻綜述工作，利用文獻計量分析中的科學方法和工具，梳理研究主題下的必讀經典文獻，包括圖書、期刊論文、學位論文、OA資源、數據資源等，檢索結果按照相關程度進行揭示，研究生可依據時間和進度確定文獻回顧範圍，協助研究生了解該研究方向下已有研究基礎、最新進展和最重要的研究成果。
開題文獻推薦
本期以「AlGaN/GaN MIS-HEMT器件氮化硅柵介質的TDDB研究」論文開題為例，圖書館基於海量的文獻信息資源，充分利用關鍵詞檢索、相似文獻發現、引文檢索、綜述及關聯檢索等方法和手段，深入梳理相關研究領域和研究主題，客觀全面地挖掘或獲取相關信息，進一步分析篩選並推薦有參考價值的圖書、期刊論文、會議論文、學位論文、綜述文章和前沿研究文獻等。
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檢索策略制定
針對該主題，開題人初步確定的中文關鍵詞有：AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管，氮化硅介質層，介質經時擊穿，MOCVD原位氮化硅；英文關鍵詞包括：AlGaN/GaN MIS-HEMTs, Si3N4 dielectric layer, TDDB, MOCVD in-situ Si3N4等。通過使用上述中英文關鍵詞進行文獻調研，經過文獻分析，並與開題人進行溝通，確認該主題可以從以下幾個角度獲取相關文獻——
●低壓化學氣相沉積(LPCVD)氮化硅薄膜的生長工藝參數；
●GaN MIS-HEMT中LPCVD氮化硅柵介質經時擊穿TDDB研究；
●AlGaN/GaN MIS-HEMT器件中複合柵介質的可靠性研究。
檢索各類數據庫，組織優化檢索策略，依據相關程度和參考價值對結果進行篩選，並向開題人反饋以確定檢索結果。文獻獲取過程和推薦的文獻資源展示如下：
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期刊論文推薦
數據庫：知網、未名學術搜索、維普、SCI、Scopus、EI等。
結果：英文期刊文獻57篇；中文期刊文獻15篇（部分展示）。
[1] Zhang, ZL etc., Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 63：731-738.
[2] Wu, Tian-Li etc., Comprehensive investigation of on-state stress on D-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs[J]. IEEE International Reliability Physics Symposium, 2013, 1-7.
[3] Sun, Hui etc., Investigation of the Trap States and V-TH Instability in LPCVD Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with an In-Situ Si3N4 Interfacial Layer[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 3290-3295.
[4] Zhao, YW etc., Experimental evaluation of interface states during time-dependent dielectric breakdown of GaN-based MIS-HEMTs with LPCVD-SiN(x)gate dielectric[J].
CHINESE PHYSICS B, 2020, 29：6.
[5] Warnock, S. etc., Progressive breakdown in high-voltage GaN MIS-HEMTs[J]. IEEE International Reliability Physics Symposium, 2016, 4-6.
[6]王敬軒,商慶傑,楊志.低壓化學氣相澱積低應力氮化硅工藝研究[J].電子與封裝,2021, 21(08):97-101.
[7]劉乃漳,姚若河,耿魁偉.AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管的柵極電容模型[J].物理學報,2021,70(21):293-299.
[8]古亞軍,張海軍,李發亮,張少偉.原位合成NiO催化硅粉氮化製備氮化硅[J].機械工程材料,2016,40(06):65-68.
……
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學位論文推薦
數據庫：CNKI、未名學術搜索、北京大學學位論文、Proquest學位論文等。
結果：英文學位論文6篇；中文學位論文7篇（部分展示）。
[1] Meng, Xin. High Mobility III-V Semiconductor Devices with Gate Dielectrics and Passivation Layers Grown by Atomic Layer Deposition [D]. The University of Texas at Dallas, 2018.
[2] Azam, Faisal. AlGaN/GaN MOSHFETs using ALD Dielectrics: A Study in Performance and Reliability [D]. North Carolina State University, 2018.
[3] Sun, Xiao. Characterization and Fabrication of High k dielectric-High Mobility Channel Transistors [D]. Yale University, 2013.
[4] 熊樹豪. AlGaN/GaN MIS-HEMT柵堆疊小信號模型以及界面態表徵方法的研究[D].北京大學,2020.
[5] 石黎夢. 基於可靠性提高的AlGaN/GaN MIS-HEMT結構設計和界面優化[D].北京大學,2020.
[6] 鄺文騰. AlGaN/GaN MIS-HEMT高電場可靠性研究[D].北京大學,2019.
……
3
專利推薦
數據庫：CNKI、智慧芽專利數據庫、Derwent專利數據庫等。
結果：英文專利3篇；中文專利7篇（部分展示）。
[1] WANG, HONG; ZHOU, QUANBIN; GAO, SHENG. Mis-hemt device having nio x protection layer and fabricating method, WO2021027012A1, ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2021.
[2]HUANG, XUANQI; ZHAO, YUJI; FANG, RUNCHEN. US20200227546A1, Steep slope transistors with threshold switching devices, ARIZONA STATE UNIVERSITY, 2020.
[3] 程亮,陸海,徐尉宗. 基於厚柵介質層電極一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其製備方法，CN111564487A, 南京大學，2020.
[4] 馮倩，杜鍇，代波. 基於超結的AlGaN/GaN MISHEMT高壓器件及其製作方法, CN103745993A, 西安電子科技大學, 2014.
……
總
結
在檢索和搜集文獻的過程中，需要根據主題領域的文獻分布情況調整檢索的策略，通過對主題進行分析並從多個角度進行拓展檢索，嘗試多種關鍵詞的組合策略，從各種數據庫等多方面查找相關參考文獻。從代表性的作者和文獻入手，查找相似文獻、引證文獻和參考文獻。查詢專業相關的特色數據庫，以便形成全面的參考文獻網絡。
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我們也可以為你定期尋找和推薦與你的研究相似的最新文獻；我們還可以為你提供你的學科的研究熱點；你所在學科的機構發文量最新統計等。
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