本文為楊站長技術團隊製作的《Materials Studio入門手冊》第17篇，共約100篇。本教程旨在從零開始帶大家入門MS軟件，文末可下載更多學習資料。緊跟楊站長，學會計算，拿下頂刊！
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大家好，歡迎大家繼續關注我們的課程。上節課我們對計算結果文件進行了一些說明，讓大家可以終於涉及到一些計算的問題，但是實際上我們還是要用比較長的時間進行建模的學習，繼續進行建模課程，今天我們主要對於表面模型的建立方式進行說明。
小夥伴們可能會覺得性質計算是真正想要去做的內容，而建模只是一種輔助手段，但是實際上好的模型可以用最少的計算資源解決複雜的問題，有時候我們看文獻，經常會被一些巧妙的模型吸引，自己去想的時候卻很難想到這樣的情況。
還記得有一次看講座，把氣泡簡化成兩層平面的分子，內外都是真空層，這樣的模型比起一個巨大的氣泡，要減少多少的計算量，所以建模是計算的第一步，甚至是最重要的一個環節。
很多時候我們需要使用到表面模型。對於吸附、催化等過程，表面是反應的基礎，界面模型也是兩個表面模型的組合。
接下來，我們以Ir晶體為例，切割一個Ir(100)表面。
首先導入Ir晶體模型，在菜單欄里選擇Build->Surfaces->Cleave Surface選項，打開切割表面對話框
切割表面選項
切割表面對話框中的Surface Box選項卡中，可以選擇要切割表面的晶面指數(h k l)，我們輸入(1 0 0)。
Position位置選項包括Top，定義切割的頂端，可以改變這項數值，並且在結構文件中看到在哪個位置開始「下刀」。
Thickness是切割表面的厚度，可以通過調整厚度調整所表面模型的原子層層數。
另外可以選擇使用H原子或其他原子對所切割表面的懸掛鍵進行飽和，可以對頂端、底端、兩端進行加H或其他原子，也可以選擇不加(Neither)，這個功能可以由Cap bonds on XX face with XX進行實現。
切割表面對話框
另外兩個選項卡可以實現對所切割表面的U、V向量和切割後表面沿坐標軸的取向進行調節。
我們之後在切割含有根號的表面時會對其進行更加細緻的講解。現在我們僅設置這些參數，並單擊Cleave（切割）按鈕，即可得到3層的Ir(100)表面。
切割得到的Ir(100)表面
經常會有小夥伴問到表面模型應該包含幾層原子的問題，實際上對於這個問題，最好的回答方式就是可以參考一下相關的文獻，看一下做相似體系的其他研究者是如何操作的。
但是如果還是希望得到更加有參考意義的回答，這裡可以稍作回應。可以首先切割層數較少的模型，進行試算，看一下是否有您所關注的現象，例如催化活性位點，或者需要的性質等，之後再建立一個層數比較多的模型。
當然，層數較多的模型是一個比較相對的概念，不同的體系有不同的解決方式。
對於由較少的元素組成的晶體，例如純金屬等，或者每層原子分布情況比較一致的晶體，如MgO等，5~7層的模型基本上是可以接受的。如果晶體本身比較複雜，例如Al2O3，可能切了5層之後甚至還沒得到一個完整的重複結構（這幾層還沒有兩層的原子分布是完全一致的），這個時候可以適當增加層數，從而得到更加完整的結構。
另外，有的文獻中說到切割若干層原子，可能是若干層相同原子，也可能是一共有若干層，例如10層SiO2，可能是10層Si原子層和10層O原子層，而有的是加起來是10層（5層Si+5層O），這個也要細心分辨。
總之，對於切割表面應該保留多少個原子層的問題，要從結構本身、您所關注的問題、計算機的計算能力、其他研究者的結果等方面進行綜合考慮，才能夠對這個問題進行比較確定的解釋。
在這裡，希望大家在進行計算的時候多閱讀文獻，全面統籌考慮，祝大家一次成功。好啦，今天我們就說到這裡，下次我們再介紹一些關於表面模型建立的細節問題，敬請期待。
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