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Q：NANDFlash不同層數工藝之間設備差別？
半導體主要是光刻、刻蝕、薄膜沉積、擴散四大工藝。
長存做 3D 關鍵是刻蝕和薄膜沉積機台。
光刻是在晶圓表面進行的工藝， 塗抹、顯影、曝光， 不管多少層都是在晶圓表面進行， 和邏輯製程的線寬、最小分辨率有關。目前長存最小的也是 20+nm， 光刻受限還好。— —荷蘭 ASML。沒有用到 EUV 光刻機。
擴散主要是高溫製程，加溫、氧化爐等高溫處理過程，和半導體的層數沒有關係，不管多少層都是把晶圓放進去處理。限度相對小。
刻蝕工藝， 層高很高， 介質膜（ 氧化硅、氮化硅） 很厚， 128 層是指氮化硅層數有 128 層，氧化硅在頂部和底部分別多一層。多層累上去 128 層就有 12 萬 A，邏輯一般幾百、幾千 A，存儲的膜特別厚，232 層是 13 萬 A。高層數要求較高的圖像保真度。— —泛林、LAM。
薄膜工藝， 刻蝕結束後， 要在深口/槽中沉積薄膜， 工藝上核心參數是台階覆蓋率， 如果最頂上長 100A， 底下需要達到 95%的厚度， 氣體是從頂部往下通氣， 要達到均一性是薄膜機台的難點。— —應用材料 AMAT。
不同層的設備主要是 64、128 時不同版本的機台，如果都是 AMAT 的薄膜設備，會有 A、B 系列等等，64 層的機台在 128層的時候台階覆蓋率未必能達到要求。AMAT 本身就有一系列產品線。層數升高後需要購買新的機台， 以達到工藝要求。
— —這也是在清單中寫明和層數相關的設備限制的原因。刻蝕機台也是一樣的
Q：具體的薄膜沉積類型？
沉積氧化硅、氮化硅一般都會 CVD， 和金屬相關的（連線、金屬鎢、銅、barrier layer 等緩衝層）一般都是 PVD， 深孔、深槽填充一般都是原子級別的 ALD 工藝。
硅晶圓襯底是平的， 一層層沉積也是平的， 這類簡單一些，用 PECVD（ plasma 模式）， 這部分受限不大。
受限比較大的是和層數相關的深孔、深洞， 台階相關的設備， 需要 ALD。
Q：薄膜設備方面，非 A 替代設備/國產設備的進展？
北方華創有一些機台在做 demo， 64 層工藝， 目前 128 及以上的比較困難（ 也有 demo）， 有快 2 倍的深度差異， 機台能力有差異。主要是沉積孔洞中的氧化物、氮化物， PECVD。
北方華創的高溫爐已經進產線量產。
目前國內能進產線用的，就是用於平面結構膜生長的設備，例如拓荊的 PECVD 設備， 64 層。
Q：刻蝕設備情況？
非常深的 Trench 刻蝕在存儲中就是 2-3 道工藝。— —十萬+A 深度， 寬度就是 100nm， 預計深寬比是 100:1 左右。淺槽方面，邏輯需要 6-7 層金屬線。
刻蝕有部分東京電子 TEL 的，特別深的深孔刻蝕、後端做金屬線（銅製程先電鍍做淺槽再 CMP 磨掉後留下銅線，此前的刻槽用的是 LAM）
Chanel hole 用的是東京電子 TEL 的 rk 系列。淺槽的中微也可以做。用雙大馬士革工藝。
以 ICP 為主， 尤其是低介電常數介質膜的刻蝕。
如果日本設備不受限制，那麼深孔刻蝕是不受限的。淺槽國內本身就有部分可以做。Q：刻蝕設備國產替代情況？
深孔刻蝕無法完全替代，淺槽刻蝕能做好就有不錯的市場空間了。長存研發的時候一直用的就是 TEL 的 RK 系列。
Q：其他設備的進展？
量測設備：不像刻蝕和薄膜， 缺少了就進行不下去， 量測是抽檢。量測被卡也會很難受， 但不是缺了就做不下去。量測機
台迭代不如工藝機台快， 以前的設備後續也可以繼續使用。無法採購到新設備， 對應的就是產能不夠， 或者選擇降低抽檢比例， 對應良率降低。
CMP 機台：不同層數設備差別不大，和光刻一樣都是晶圓表面進行。國內華海清科的鎢的 CMP 機台在長存份額可能有 30%+。
Q：生產過程中的歪斜、孔對其等問題對設備有什麼樣的要求？
這是一個系統方案。
這是 fab 的 know-how， 屬於工藝整合部門的任務。
Q：IO 的速度如何提升？
邏輯端和存儲端，越近越好。以前是存儲和邏輯平鋪， 距離偏大。
長存的 Xpacking 技術把存儲和邏輯晶圓分開做，通過晶圓級封裝合在一起，再通過鍵合工藝連接起來。
Q：層數增加對封裝過程中的設備的要求？
膜越來越多， 會有應力、晶圓卷翹等問題， 會影響鍵合效率， 需要調整填充膜的盈利參數， 但是和設備沒什麼大關係。
Q：對於 18nm 及以下的長鑫 dram 產品有什麼影響？
Dram 也是線寬越小越好。和薄膜的關係沒有那麼緊密。和邏輯更類似，因此被卡和 SMIC 被卡 14nm 類似。
Q：長存產能規劃？
已經投產的是 1 期的 10 萬片， 除了 4-5k 片是研發線產能，剩下 64、128 各一半。2 期規劃 128 和 232 層。第一階段 4-5w 片， 22 年初設備導入， 年底起量， 已經進入潔淨室，剩下的工作是 fab 的工程師完成的。
3 期規劃 232 層，沒有簽設備訂單的情況下，會受限。
目前已經有的是 15 萬片， 剩下的 15 萬片不確定能否擴產。
128 層 2021 年初量產，交到量產部門以後，邊量產邊測試 demo、替換成國產設備，但是研發線都是用的最新的設備，22年 7-8 月研發成功 232 層， 原本是要開始採購設備了， 但是被卡了，那麼原本積累的一些經驗需要重新去測試積累。目前看，即便是 128 層做設備替換， 也會比 232 層效率高。
Q：是否會以後都擴產 64 層？
這塊主要還是是否盈利和盈利多少的區別，一片晶圓做的數量越多，層數越多單位成本會越低， 64 層研發出來的時候別人
128 層已經量產，那時候長存沒有成本優勢，那時候長存 64 層是保本生產，那時候也不能說不賺錢不生產，至少要去參與市場，別人才知道有你這個廠商存在，先 5 萬片去做，後面規劃是沒有 64 層。64 層有 3~4 年，如果能夠通過 cost down有利潤的話，如果實在 128 層、232 層被限制死的話，可能會考慮去做 64 層，這樣有個問題設備換了，成本非常大，未來如果放開，好多設備得重新採購， 可能後面看看有沒有高層留下來的消息怎麼弄。美國那邊卡的設備還是很精準的。
Q：長存進入蘋果（A 客戶）， 蘋果能從長存得到什麼？是否可能幫長存去遊說？
2020 年 3 月，128 層有 5%的良率就開始給蘋果送樣測試，2022 年已經有長存的產品進入蘋果公司，蘋果是基於產業鏈的合理規劃安排， 存儲的壟斷太高了， 基本就是 2~3 家公司（ 韓國、美國）， 行業里有個笑話， 只要看到三星、海力士着火、停電內存就要漲價， 也是反應壟斷程度挺高的， 如果能夠多出來的供應商選擇， 蘋果願意去考慮， 長存的性能不差， 只是前期成本貴一點。這種情況下， 多一個供應商是一個很好的選擇。我相信各個設備公司肯定也是想， 如果只是說設備公司自身， 不希望失去這筆訂單的，國內的量挺大， 不止長存，各大邏輯公司也是這些設備。就看申訴期內能不能出名單了。
Q：smic 被制裁後的遊說比較成功的， 也拿到了 14nm 以上的許可證？
是的。
Q：是否有試過 ASM 的 ALD？
不是特別了解。
Q：現在這幾個海外美系、日系、歐系現在銷售人員狀況？
歐洲我了解比較多的， ASML 光刻機態度一直卡 EUV，DUV 還好， 長存用不到 EUV。日本主要刻蝕機台目前來說也還好。
Q：LAM 已經有人從長存撤離， 不駐場了， 是真的嗎？TEL 呢？
LAM 是的， 因為是美系公司。
TEL 應該不會有影響。
Q：長存未來發展的推演？
如果美方卡的沒有那麼嚴格的話， 最好是趕緊去做申訴。
主要卡貿易合規的東西， 證明終端客戶沒有涉及制裁的國家， 如果能夠申訴成功可以繼續採購， 如果後面真的進名單， 可能 232 層後續影響， 128 層已經有 10 萬片產能設備已經到位， 克服一些廠商的 support 問題不大。232 層的擴充是個問題，這個受限， 只能保證 15 萬片產能生產。
Q：可以進行申訴，申訴成功率，美國就是想卡 128 層及以上？
並不清楚美國的意圖，從我們從業人員來說，美國有點想故意卡你，就是看你剛做出來成績就把你限制了，之前 smic 也是在 asml 定 EUV 光刻機， 每次卡的節點都是恰到好處，從國家戰略角度就是故意去卡你。
Q：長存和 smic 的區別， 14nm/28nm 卡主了， 長存就不一樣，有成本考慮？
其實 smic 也一樣，及時長存 15 萬片產能也能活下去，研發節奏就跟不上別的公司，smic 做成熟工藝也有不錯的利潤，差距會越來越大。
Q：之前長存本來規劃 15（ 5 萬 64 層， 10 萬片 128 層） +15 萬片（ 232 層）？
能夠生存，後續更先進的東西就受限。
Q：三星、美光繼續往下走， 是不是 128 層就毫無競爭力？
不是說毫無競爭力， 只是競爭力越來越差， 國內低端應用也是有的。
Q：存量產線運營是否會有問題？
Fab 本身是有設備工程師的， 會維護設備。一些關鍵的零部件更換等， 如果沒有原廠的工程師指導， 保養周期可能會拉長
（ 從 1 天到 2-3 天）。以及新機台進來後的裝機速度會受到影響。但不影響存活。
Q：美國限制 128 層設備時，對於可以用於 64 和 128nm 的通用設備的限制如何？
美方的制裁直接卡在痛點上。
和層數無關的， 例如濕法工藝、CMP 機台、高溫管機台， 國內有替代方案。除了光刻機。
除了光刻機目前只有 ASML， 就是和層數相關卡的很嚴格， 你去採購只能採購某個機台的某個型號， 肯定會涉及層數更高的製程。剛開始提到的檢測設備和層數沒關係。
Q：設備零部件是否會有類似的問題？
我之前有同事在海康，直接進了實體清單，零部件也會受限，UVL 名單還好，去申訴，如果進了 CCL 確實會受限，連零部件也會受限制。
Q：3D nand 的離子注入設備是否會受影響？
目前長存這邊國產沒有能做的很好的。這類機台和層數無關， 用量也不大。
只能去申訴證明只做 64 層，申請許可的過程會有歧義不確定。
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