鑽石舞台

氮化鎵快充一經推出，小體積高功率密度的優勢，得到了消費者的青睞。氮化鎵相較傳統硅器件，具備高開關速度，低開關損耗的優勢，可以運行在更高的頻率下，從而減小充電器的變壓器尺寸。並且氮化鎵更低的損耗，可以簡化充電器的散熱設計，進一步縮小充電器的體積。

市面上推出的氮化鎵快充，相比傳統硅功率器件，具有更小的體積，更高的轉換效率。在充電器上應用氮化鎵技術，不僅讓充電器更加便攜，更符合低碳環保的理念。

青島聚能創芯微電子有限公司坐落於青島國際創新園區，主要從事第三代半導體硅基氮化鎵（GaN）的研發、設計、生產和銷售，專注於為業界提供高性能、低成本的GaN功率器件產品和技術解決方案。

針對氮化鎵快充應用，聚能創芯推出了三款耐壓650V的增強型氮化鎵功率器件，支持30W-240W快充及開關電源應用。器件均符合JEDEC的標準應用要求，具有低柵極電荷，簡化驅動設計，無反向恢復電荷支持超快的開關速度。相比傳統硅器件，開關損耗和傳導損耗顯著降低，能夠大幅提高快充及電源適配器的功率密度。

聚能創芯掌握業界領先的GaN功率器件與應用設計技術。致力於整合業界優勢資源，打造GaN器件開發與應用生態系統，為PD快充、智能家電、雲計算、5G通訊等提供國產化核心元器件支持。

聚能創芯CGK65R400B是一款耐壓650V，導阻300mΩ的增強型氮化鎵開關管，支持超快開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGK65R400B具有0.94nC柵極電荷，採用PQFN5*6封裝，占板面積小。適用於高壓AC/DC轉換，可應用在30W功率段反激主功率開關管，120W LLC主功率開關管。

聚能創芯CGL65R150B是一款耐壓650V，導阻120mΩ的增強型氮化鎵開關管，支持超快開關，無反向恢復電荷，具備反嚮導通能力，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGL65R150B具有2.5nC柵極電荷，採用PQFN8*8封裝，適用於高壓AC/DC轉換，可用在140W功率PFC主功率開關管，240W功率LLC主功率開關管。

聚能創芯CGL65R190B是一款耐壓650V，導阻170mΩ的增強型氮化鎵開關管，支持超快開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支持開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGL65R190B具有2nC柵極電荷，採用PQFN8*8封裝，可應用於65-100W功率反激主功率開關管，100W功率PFC主功率開關管，200W功率LLC主功率開關管。

充電頭網總結

聚能創芯推出的三款氮化鎵器件，均屬於增強型氮化鎵功率器件，可搭配專用的氮化鎵控制器使用，支持PFC、反激以及LLC等電路拓撲。可應用於開關電源，功率因數校正，電機驅動，逆變器，UPS等場合。

除了在快充上的應用以外，以上氮化鎵功率器件還可以應用在相同功率段的智能家電，LED照明，小型工業設備電源等領域，提高轉換效率的同時，提升電源的功率密度。

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