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1.【專利解密】鴻海大力推出新型半導體

2.MPEG LA宣布推出VVC專利組合許可

3.2021全球專利申請TOP50:IBM居首,華為No.5,京東方No.11


1.【專利解密】鴻海大力推出新型半導體
【嘉勤點評】鴻海的半導體專利,通過在堆疊結構中使犧牲層的鍺濃度由下往上遞減,且半導體層及犧牲層的厚度都由下往上遞增,能夠有效補償蝕刻工藝所造成的半導體層形狀不均及變形問題。
集微網消息,近日鴻海在官網更新,其全球有效發明專利超過5.42萬件。從領域來看,鴻海在半導體技術所發明的專利占比約14%。
在集成電路發展的過程中,通常會增加功能密度,縮小几何尺寸,從而提高工藝的複雜性。相較於平面晶體管,GAAFET能夠更好地控制通道,並能夠降低短通道效應。然而,製造GAAFET的蝕刻工藝可能會造成通道發生形狀不均的問題,從而對GAAFET的性能造成不利影響。有鑑於此,需要開發出新的製作方法以克服上述問題。
為此,鴻海於2021年10月8日申請了一項名為「半導體結構的製作方法」的發明專利(申請號: 202111170622.5),申請人為鴻海精密工業股份有限公司。
圖1a 半導體結構的製作方法過程圖
圖1a為半導體結構的製作方法過程圖,該製作方法可應用於製作納米片場效晶體管、納米線場效晶體管、全環繞閘極場效晶體管等。製作方法主要如下:形成多層堆疊10A於基板20上。多層堆疊包括交替堆疊的複數個半導體層12A和複數個犧牲層14A。半導體層包括硅、碳化硅或磷化硅,摻雜有V族元素,犧牲層包括硅鍺、鍺或鍺錫,摻雜有III族元素。
犧牲層含有鍺,鍺濃度由下往上呈等差遞減。形成多層堆疊的方法如下:首先形成第一犧牲層於基板上,然後第一半導體層形成於第一犧牲層上,第二犧牲層再依次形成於第一半導體層上,其中第二犧牲層的鍺濃度低於第一犧牲層的鍺濃度。最後使第二半導體層形成于于第二犧牲層上。重複進行上述操作,可形成鍺濃度由下往上遞減的犧牲層。
多層堆疊中的各層具有小的厚度,並由下往上等差遞增。形成多層堆疊包括以下操作:首先形成第一犧牲層於基板上,然後形成第一半導體層於第一犧牲層上,再將第二犧牲層形成於第一半導體層上,最後將第二半導體層形成於第二犧牲層上,其中第二半導體層的厚度大於第一半導體層的厚度。重複進行上述操作,可形成厚度由下往上遞增的這些半導體層。
圖1b 半導體結構的製作方法過程圖
如圖所示,然後對多層堆疊及基板進行圖案化,形成堆疊結構10B及鰭片22。堆疊結構包括複數個半導體層12B和複數個犧牲層14B。鰭片為在基板中圖案化的半導體帶。再於基板20上及相鄰鰭片22間形成淺溝槽隔離區域300。STI區域圍繞鰭片的至少一部分,使堆疊結構至少一部分自相鄰的STI區域突出。接着在堆疊結構上形成虛擬閘極結構400。虛擬閘極結構包括虛擬介電層410及虛擬閘極420。然後將間隙壁510形成於虛擬閘極結構的兩側,移除未被二者覆蓋的堆疊結構的部分且移除鰭片的上部以形成凹槽R。之後蝕刻堆疊結構中的犧牲層暴露的側壁,以在相鄰的半導體層之間形成凹陷。
簡而言之,鴻海的半導體專利,通過在堆疊結構中使犧牲層的鍺濃度由下往上遞減,且半導體層及犧牲層的厚度都由下往上遞增,能夠有效補償蝕刻工藝所造成的半導體層形狀不均及變形問題。
鴻海是當今全球3C代工服務領域的龍頭,多年來致力於研發創新,以核心技術為中心,持專業化、規範化的經營理念,憑藉豐富經驗和雄厚實力,致力於成為全球最佳產業綜合運營商之一。
關於嘉勤

深圳市嘉勤知識產權代理有限公司由曾在華為等世界500強企業工作多年的知識產權專家、律師、專利代理人組成,熟悉中歐美知識產權法律理論和實務,在全球知識產權申請、布局、訴訟、許可談判、交易、運營、標準專利協同創造、專利池建設、展會知識產權、跨境電商知識產權、知識產權海關保護等方面擁有豐富的經驗。
(校對/holly)
2.MPEG LA宣布推出VVC專利組合許可
MPEG LA, LLC今天宣布推出VVC專利組合許可。該聯合許可證包括對多功能視頻編碼(VVC,也稱為H.266和MPEG-I第三部分)標準至關重要的專利。VVC在大幅降低比特率的同時提高了壓縮率,使消費者在對互聯網、電視和移動傳輸、接收和使用的視頻進行編碼和解碼的產品中提高了速度和效率。

VVC能夠以高清電視(HDTV)、超高清電視(UHD)、高動態範圍(HDR)和全向360°視頻提供4K至8K及更高的分辨率。
MPEG LA的VVC許可的初始專利所有人是b<>com、英國廣播公司、Digital Insights Inc.、FG Innovation Company Limited、Hanwha Techwin Co., Ltd.、Koninklijke KPN N.V.、Nippon Hoso Kyokai、Orange、西門子公司、Tagivan II LLC和Vidyo, Inc。
MPEG LA總裁兼首席執行官Larry Horn說:"我們讚揚這些專利所有人在如此短的時間內達成一致,向市場提供易於理解的簡單方式建立這個重要的許可,涵蓋所有形式的VVC應用,我們歡迎所有VVC基本專利持有人加入組合。MPEG LA的VVC許可證再次表明,MPEG LA將繼續致力於在專利持有人和實施者之間取得平衡,使VVC以與市場對我們的期望一致的合理、透明和公平的條款廣泛提供給所有人。現在,下一代視頻市場比以往任何時候都更需要一個可以信賴的集合許可。"
3.2021全球專利申請TOP50:IBM居首,華為No.5,京東方No.11
近日,美國商業專利數據庫發布2021專利排名,前五名分別是:IBM、三星電子、佳能、台積電、華為。其中,IBMD在2021年申請了8621項專利,比上年下滑5%。排在第二位的三星電子,專利申請數量為6366項,比上年下滑1%。佳能則位於第三名,申請了3021項專利,比上年下滑6%。位於第四的台積電申請的專利數量為2798項,華為申請的專利數量為2770項。
此外,進入TOP50榜單的中國企業還有京東方、阿里巴巴旗下的創新先進技術公司、OPPO。值得一提的是,創新先進和OPPO的專利申請數量比去年有大幅提升力。具體表現為,創新先進排在第43位,申請的專利數量為780項,與去年相比申請數據大增696%。OPPO則排在第49位,申請的專利數量為719項,比上年增加33%。(校對|Value)

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