1.AIoT時代，邊緣計算大放異彩；
2.半導體屆「小紅人」——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩；
3.上海浦東：2年內將推動集成電路產業規模達2100億元；
4.龍頭持續擴產，第三代半導體未來五年有望迎產能躍進新節點？
5.張江浩珩王文捷：立足張江，深耕產業，尋找有高度產業協同性的項目；
6.華勤技術東莞第二製造中心開園，智能製造再添新載體；
傳統的設備管理或測控系統一般由傳感器，數據採集，測控中心組成，數據採集設備主要有PLC，數據採集板，現場儀表，圖像採集設備等，實現的功能只有將模擬信號數字化，存儲轉發到測控中心。只能應用於採樣間隔較長，採集數據量較小的應用環境中，對於採樣率要求高，採集量多，數據吞吐大的使用場景，必須另外搭建專用採集測控系統。大數據的存儲、計算、處理、判決全部在測控中心實現，通過部署的服務器來提供這些應用功能。想要實現業務融合，統一平台管理，難度極大。現實工作中，我們可以看到一個企業，往往有多個測控系統，各自完成不同的測量控制任務，系統數據的互聯互通成為企業信息化建設的難題。測控中心藉助通訊網絡獲取現場設備的工藝量（溫度、壓力、流量）、設備運行狀態等信息，對場站進行測控和管理。測控系統主要由調控中心控制部門，本地場站控制部門和和遠程控制站測控部門組成。本地場站控制主要通過一台配置有本地控制軟件的計算機與RTU連接，向RTU發送相關指令方式實現。遠程測控站對現場設備實際運行情況進行測視，不可直接發出指令。數據採集系統主要由PLC、RTU、現場儀表、圖像採集設備、現場人機界面等組成。其中，現場儀表包括溫度變送器、壓力變送器、流量計、各類傳感器等，在無人值守的情況下，可自動採集工業現場數據，將各項參數傳送到RTU，最終將參數傳遞到測控中心，進行數據分析處理。可以發現，上述採集測控系統，在設備端，只進行數據的收集，然後原封不動的傳輸到測控中心，由測控中心完成數據的存儲、計算、處理、判斷與決策。顯然，它只可以滿足，採集溫度、濕度、氣壓這類變化不快，能夠容忍較長反應時間的場景。物聯網從提出到現在已有近20年歷史。2010年以來，物聯網領域出現了翻天覆地的變化，人工智能與物聯網的結合產生了智能物聯網（AIoT）,物聯網應用於工業領域，誕生了工業物聯網，為物聯網的發展賦予了強勁的發展動力。智能穿戴、智能家居、智慧城市、智能製造、工業物聯網等概念已走向現實。智能物聯網（AIoT）時代，感知的類型極為豐富，有加速度、振動、壓力、實時視頻、激光雷達等信號，具有高速採集要求，相應的，對傳輸帶寬要求更高。智能化的本質特徵之一，要求對於現場瞬息萬變的狀況，要第一時間完成測測，並及時做出響應。基於單一的數據採集設備的測控系統，遠遠落後於AIoT時代。原因如下：1、隨着物聯網業務量的增加，如果數據都傳輸到測控中心，需要極高的傳輸網絡帶寬才能及時將數據傳到中心服務器；2、相應的，數據存儲需求增長，但是，正常運行時的採集數據其實是無用信息，全部保存，帶來存儲空間浪費；4、更多實時響應場景，要求對數據實時處理，並迅速做出判斷，控制物體或物品做出適當反應，執行準確動作。中心控制處理，考慮處理用時和傳輸延時，無法滿足這些實時控制要求的。邊緣計算指在靠近物或數據源頭的一側，採用網絡、計算、存儲、應用核心能力為一體的開放平台，去存放、處理、分析數據，提供最近端服務。在邊緣側部署運行應用程序，產生更快的網絡服務響應，滿足行業實時業務、應用智能需求，在減少網絡帶寬需求的同時，保證數據的安全性和隱私保護。物聯網頂端是雲服務器，邊緣端是數據採集+邊緣計算。雲服務器算力強，業務部署靈活方便；邊緣端不僅能夠完成數據採集，而且具備強大的計算功能，支持AI算法，這是傳統測控系統數據採集不具有的。邊緣計算有豐富的連接能力，不僅支持IEPE、電壓型等傳感器接口，也支持RS485串行總線接口，支持Ethernet接口，可以無縫連接智能傳感器。西人馬公司深耕於傳感器、芯片、邊緣計算硬件及驅動軟件，通過硬件模塊化設計，軟件分層設計，為用戶提供端、邊產品，和端邊一體化的硬件平台；提供基礎算法庫，賦能實時故障診斷系統，智能測控系統；產品可靠性方面，除了基本功能的實現，對複雜安裝條件、複雜惡劣環境提供更為可靠的加固防護措施。西人馬公司致力於工業領域的邊緣側數據採集計算，其邊緣計算具有以下特點：•標準總線/接口，採集、計算、網關可單獨/組合部署，配置靈活；•靈活配置業務功能，提供不同場景的標準數據處理模型；•基礎運算庫 —> 數據處理 —> 事件判斷（可重構）<—>AI分析優化；• 採集模塊支持PoE功能，單獨布放即可提供數據採集傳輸功能；具備模塊化可擴展的邊緣計算採集器，其特點是在應用上可作為一個平台化的產品，聚焦於物聯網平台層數據採集和邊緣計算技術，可將多種工業領域行業、多種測控和診斷需求、多種解決方案歸一到一個通用平台上，打造智聯網時代的通用統一業務底層平台。邊緣計算產品實現系列化，型號有SV0222，SV0232，SV0234，SV0281等，研製多種類型板卡，實現採集、接口、控制、處理、物聯網關功能。系統由機箱，主控板和各種功能板卡組成。通過插入不同類型板卡，可以實現多種採樣精度，採樣速率，以及豐富的數字接口，實現對各種傳感器的接入。數據處理板，採用模塊化設計，根據應用對算力要求，提供最優性價比的邊緣計算系統。目前，支持ARM、x86架構的處理器，包括多核異構處理器，滿足不同類型數據處理要求。整機支持9~36V寬電壓直流供電。支持4~32路IEPE、電流量、電壓量模擬通道同步採集和多種信號輸入/輸出，可擴展支持電機控制，工業相機，無線網關等設備。模擬採樣率最高可達1MS/s，數字IO支持工業電平標準【注】。主控板作為邊緣計算單元，對現場數據進行實時處理(eg數據清洗、特徵值運算、圖譜分析)，可將有效數據進行本地存儲和/或雲端備份。支持本地系統配置。系統支持多機組網擴大系統容量，通過雲端進行系統配置和下發控制命令。西人馬的邊緣計算系統支持二次開發。提供豐富的SDK函數庫，用戶無需關心內部複雜的聯網機制，即可實現設備的遠程控制，控制指令協議全部開放，方便用戶按照項目需求設計相應的控制邏輯。支持運行Labview，提供基礎算法庫，用戶可以靈活構建自己的數據處理程序。提供越來越豐富的驅動庫，算法庫，及加速引擎。西人馬公司有自研的MCU芯片和主控芯片，這也是該公司在邊緣計算領域的獨有技術優勢。邊緣計算系統，與西人馬傳感器、MEMS芯片一起，廣泛應用於工業製造、安防、民用航空航天、軌道交通、能源、醫療、公共設施等領域，助力實現智能化。智能物聯網將感知、邊緣計算、雲台等技術運用到行業過程各個環節，目前智能物聯網處於快速發展階段，這些技術手段的應用，將大幅提高製造效率，改善產品質量，降低產品成本和資源消耗。更為重要的是，隨着數據量的增大，在數據源頭處理數據的邊緣計算設備和解決方案更加適合數據的實時和智能化處理，對用戶來說更加安全、快捷、易於管理。在可預見的未來，邊緣計算取代數據採集是大勢所趨，邊緣計算設備將在智能物聯網應用中大放異彩。2.半導體屆「小紅人」——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩； 第三代半導體碳化硅是目前半導體領域最熱門的話題。提到碳化硅（SiC），人們的第一反應是其性能優勢，如更低損耗、更高電壓、更高頻率、更小尺寸和更高結溫，非常適合製造大功率電子器件；如果說到應用，大多數人都會說它成本太高，推廣起來需假以時日，等等。事實上，在一些有性能、效率、體積、散熱，甚至系統成本有要求的應用中，典型代表行業如電源。碳化硅器件與硅器件的成本差距正在收窄。那麼，基於如此明顯的優勢的碳化硅材料製成的碳化硅肖特基器件能帶來哪些優勢呢？ 1、器件自身優勢：擊穿電壓高（常用電壓有650V/1200V）、可靠性高（結溫175℃ ）、開關損耗小和導通損耗小、器件反向恢復時間幾乎為0，且恢復電壓應力較小（參考下圖），有利於降低系統噪聲，提高EMI裕量。 2、應用優勢：在CCM PFC電路中，碳化硅肖特基較小的反向恢復電流可以降低主功率MOSFET開啟瞬間的電流應力，從而使它能夠以較少的熱損失轉換電能，硅半導體必須大得多才能實現相同的性能。這體現在產品上，即碳化硅肖特基在降低電源溫度提高轉換效率的同時還能顯著減小電源的尺寸，這將為製造商帶來巨大的效益。功率半導體作為電力系統的組成部分，是提升能源效率的決定性因素之一。在肖特基發展歷程中，追求更低損耗是行業一直以來的共同目標，肖特基器件損耗主要由導通損耗和開關損耗導致，且無用功損耗會以發熱的行式釋放，使電源溫度升高。導通損耗和正向壓降正相關，我們根據VF正向壓降公式以及公式分解可以得到，降低芯片厚度可以有效降低VF。從而降低導通損耗。而開關損耗和電容值正相關。根據推導公式可得，減小結面積可以有效降低電容值，從而降低開關損耗。從設計人員的角度來看，正向壓降與電容二者之間的平衡至關重要，而使用新工藝可以帶來更優的綜合性能。目前碳化硅肖特基產品工藝節點大致可以分為4個：第一代產品芯片厚度以300μm以上為工藝節點，常見厚度為300μm、350μm、390μm厚度。此工藝製造的芯片厚度較厚，對加工過程中減劃、金屬化等等工藝要求較低，但是缺點也是顯而易見的，由於芯片較厚故很難在正向壓降和電容之間得到一個較優的綜合性能，目前國內少部分廠家還沿用此工藝。第二代產品以芯片厚度為250μm為代表。目前國內廠家量產產品大多採用此節點工藝，維安第一代產品也是基於此節點工藝進行開發（目前已經更新到第三代），但是此工藝較國際一線大廠還有一定差距。第三代產品以芯片厚度150μm為代表。這個工藝節點也是國內大多數廠家在21年底到22年初推出的新工藝平台，大部分廠家目前還正在處於研發階段，部分國際一線大廠量產產品採用150μm工藝節點，例如CREE C6系列在此節點工藝進行開發，但此工藝具國際最優水平還有一定差距。第四代產品以100μm厚度為代表。此工藝水平為目前國際最優量產水平，國際上英飛凌C6等產品採用此節點工藝進行開發，得到VF和電容性能的綜合優勢，維安目前量產主推工藝也是採用此節點，工藝水平領先國內主流1代~1.5代水平。 3年的潛心研發，加之在開發過程中不斷自我優化迭代，維安碳化硅肖特基產品歷經250μm、150μm、100μm三次更新，目前量產產品全部採用100μm節點（維安第三代）薄片工藝，通過降低芯片厚度降低導通損耗和使用縮小有效結面積的方法降低電容，使器件電流密度，導通損耗和開關損耗等器件參數性能優於同行業水平。手機等消費類電源、太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、工業控制特種電源……作為一個重要的快速發展的應用領域，電源行業的發展受益於功率器件技術進步，反過來又推動了功率器件的研發製造活動。在電源模塊中使用碳化硅肖特基器件，具有以下優勢：政府產業鼓勵政策固然重要，但是，真正的市場需求，更好的用戶體驗，以及產品優勢，才是引爆市場的關鍵。維安產品仍在不斷自我優化，持續推出損耗更小，開關速度更高的碳化硅肖特基器件。維安碳化硅，讓您的電源效率更高、工作溫度更低。3.上海浦東：2年內將推動集成電路產業規模達2100億元；集微網消息，2月23日，《浦東新區人工智能賦能經濟數字化轉型三年行動方案（2021-2023年）》（以下簡稱「《行動方案》」）正式對外發布。《行動方案》提出了「5大工程23項任務」，包括產業強基工程、生態協同工程、開放引領工程、數字躍升工程、賦能百業工程。並從數據要素市場培育、人才保障、知識產權保護、網絡安全保障、空間布局優化、企業服務創新等6個方面提出保障措施。到2023年，浦東將集中突破50項關鍵技術，形成10個標誌性科技成果，建成10個開放創新平台，打造300個典型數字化轉型應用場景，推動軟件和信息服務業產業規模達到3750億元，集成電路產業規模達到2100億元。根據《行動計劃》，浦東未來工作重點還包括以下幾大方面:打造新一代信息基礎設施。推動5G網絡深度覆蓋，按規劃合法、規範、有序布點，提升網絡連接能力。加速突破下一代信息通信核心技術，聚焦低軌衛星互聯網、光通信、量子通信等前沿通信領域，支持企業加強核心元器件、芯片、模塊、終端等技術的研發和產業化應用。優化數據中心供給結構，顯著提升數據中心集約化、規模化、綠色化水平。強化算力算法供給能力，構建人工智能應用模型、模式，建立面向多行業應用領域的訓練、測試、應用數據集，專用算法庫和模型庫。圍繞傳統基礎設施數字化轉型，推動智能網聯汽車測試道路等新型基礎設施融合發展。持續推動國際互聯網數據通道推廣應用，適時推進通道擴容升級。推動軟件基礎升級。大力發展基礎軟件、工業軟件，創新行業軟件應用，推進融合智能產品創新迭代。推動基礎軟件產業化升級，大力支持操作系統、數據庫、中間件、開發工具等關鍵基礎軟件企業發展。推動工業軟件創新突破，加快研發設計、模擬仿真、生產管控等軟件的基礎再造，優化行業軟件供給。做強電子信息產業。加快集成電路關鍵核心技術突破，支持神經網絡芯片、物聯網芯片等研發設計，拓展AI芯片應用場景，加快張江集成電路設計產業園建設，建設具有全球影響力的張江國家集成電路產業基地和「東方芯港」集成電路特色園區。推動IC設計賦能平台搭建，實現集成電路設計由實體服務轉化為數字化賦能。注重發展應用終端牽引作用，推動建設新一代高端電子終端製造基地。加大數字經濟企業培育力度。聚焦「信息飛魚」全球數字經濟創新島、張江人工智能島、張江機器人谷等新興數字產業園區，加大數字經濟龍頭企業的招商培育力度。發揮龍頭企業示範帶動作用，強化優勢產業鏈條，匯聚「專精特新」數字經濟企業。探索立法保障和產業統計標準。以數據交易所建設為契機，在數據資源共享、數據交易、數據開發利用、監管等方面進行立法探索；推動產業發展條例建設，開展人工智能、集成電路等領域產業發展條例建設。推動開展人工智能產業統計標準研究和統計試點。（校對/小北）4.龍頭持續擴產，第三代半導體未來五年有望迎產能躍進新節點？集微網消息，伴隨在新能源汽車、高速軌道交通、5G通信、消費類電子等領域取得突破，碳化硅（SiC）進入產業化快速發展階段。面對廣闊市場前景，國內外一系列企業紛紛宣布進軍碳化硅技術研發，整體產業已呈現蓬勃發展的勢態。Gartner數據顯示，到2025年，全球SiC襯底市場將達到約15~17億美元。假設襯底成本為1000美元，對應的全球SiC襯底出貨量約為每年150~170萬片。隨着新能源車銷量的快速提升，SiC在電驅動、OBC和充電樁等部件中的應用也將為SiC打開更加廣闊的市場。英飛凌科技大中華區高級副總裁兼汽車電子事業部負責人曹彥飛曾在2021年在公開演講中表示，新能源是長期趨勢，2025年之前傳統燃油車依然還會占據相應的主導地位，當然中間伴隨着新能源，包括BEV、PHEV強勁的發展，由此也帶來了碳化硅的快速發展期，大概在2025、2026年左右，碳化硅就會達到大概20%左右的市場份額，典型的應用領域包括主逆變器、OBC和DC/DC。Yole Développement此前發布的報告中指出，由於積極的收購、垂直整合和大量的投資，SiC器件市場到2026年預計將超過40億美元。前不久，SiC襯底市占率排名第一的廠商Wolfspeed發布了2022財年第2季度的財報。據報告指出，Wolfspeed該季度營收增長至1.731億美元，環比增長11%，同比增長36%。該公司表示，電動汽車的採用率遠超想象，SiC在電動汽車和工業市場的滲透率超過預期。Wolfspeed認為， 2026年公司在器件端可發展的市場空間將由43億美元增加至 89億美元，其中汽車器件占據50%，年複合增速接近30%。這也意味着，伴隨新能源汽車等行業快速發展，未來五年全球SiC市場需求將持續攀升，2025年左右或將迎來市場規模擴大的新節點。面對廣闊市場空間，SiC龍頭企業也已紛紛布局。伴隨市場需求的不斷擴大，龍頭企業對於SiC的投資也在迅速增加，並紛紛啟動了擴產計劃。從目前Wolfspeed、英飛凌等代表性企業的規劃來看，2024年就有望迎來產能攀升的節點。2019年5月,Wolfspeed宣布5年內將投資10億美元用於擴大SiC產能，並計劃在紐約打造8英寸SiC量產線，根據預期，該廠將自2022實現小批量出貨後，在2024年達產。事實上，早在2022財年Q1的電話會議上，Wolfspeed就曾預計，新廠到2024年全部完工時將，預計將帶來SiC晶圓製造產能的30倍增長。在2022財年第2季度財報電話會議中，Wolfspeed也再次透露，伴隨晶圓尺寸從6英寸到8英寸過渡、新廠8英寸線產生營收等因素，Wolfspeed毛利率有望在2024年實現從30％增長到50%。根據Wolfspeed的預估，2024財年Wolfspeed有一半的營收都來自新廠產品。這也意味着，Wolfspeed產能將伴隨其8英寸產線的規模量產，在2024年左右攀升至新的高點。除Wolfspeed以外，此前剛宣布了投資計劃的英飛凌同樣值得關注。英飛凌探索SiC技術已經接近30年，目前，英飛凌已經可以提供裸片、分立式器件，到模塊在內的完整的封裝需求的碳化硅和IGBT的模塊。碳化硅功率器件市場上，Wolfspeed與意法半導體、英飛凌為排名前五的供應商。在2018年收購Siltectra之後，英飛凌就打算在未來幾年內加強SiC晶圓和外延片的生產。功率半導體龍頭製造商英飛凌近日也表示，計劃投資20億歐元（約合22.7億美元），在其位於馬來西亞庫林的工廠建造第三個廠區，以提高自身在寬禁帶半導體（SiC和GaN）領域的製造能力，並進一步增加產能。根據規劃，英飛凌計劃建造的新廠區一旦完工，該工廠將產生20億歐元的額外年收入，為當地帶來900個工作崗位。新廠區主要涉及外延工藝和晶圓切割等關鍵工藝，將於6月開始施工，預計第一批晶圓將於2024年下半年下線。此外，有消息顯示，英飛凌將在未來幾年把奧地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半導體生產線改造為第三代半導體生產線。作為全球前五的SiC功率器件供應商，Wolfspeed、英飛凌的產能節點已鎖定在2024年前後。伴隨下游需求量不斷攀升，多家器件龍頭提前鎖定產能，英飛凌、ST、安森美等企已與Wolfspeed簽訂長期供貨協議，以保證SiC襯底供給。目前，Wolfspeed已經在多個行業達成了總額超過13億美元的材料供應長期協議。而安森美除通過長期供貨協議拿到產能以外，也宣布了擴產計劃。在今年2月8日，安森美公布了2021財年第4季度及全年業績。2022財年第一季度，安森美預計資本支出約1.5-1.7億美元，用於擴產12英寸硅產線產能及在2022年將SiC產能擴充4倍。（校對/小北、Ray）5.張江浩珩王文捷：立足張江，深耕產業，尋找有高度產業協同性的項目；集微網消息，在剛剛過去的2021年末，由中國半導體投資聯盟、愛集微共同舉辦的「2022第三屆中國半導體投資聯盟年會暨中國IC風雲榜頒獎典禮」在北京成功舉辦，上海張江浩珩創新股權投資管理有限公司（以下簡稱：張江浩珩）榮獲「年度最佳產業投資機構獎」。張江浩珩是張江高科在2019年底發起成立的市場化機制運作的投資平台。作為投資新銳，張江浩珩在競爭激烈的投資市場中，是如何做到脫穎而出的？在過去的2021年，張江浩珩交出了怎樣的投資成績單？要長久立足於投資界，張江浩珩都有哪些突出優勢？集微網有幸採訪到張江浩珩副總經理王文捷，就上述問題，她給我們帶來了深入解答。成立兩年多以來，張江浩珩始終立足於張江科學城的核心產業，緊扣科技發展脈搏，聚焦「硬科技」產業和行業，用資本助力科技創新，以高效的決策機制實現股權投資規模化、品牌化，以規範的投資流程實現項目管理精細化、科學化，從而為投資人爭取收益的最大化。作為新銳投資機構，張江浩珩目前正在管理第一支人民幣基金--張江燧鋒基金。該基金成立於2020年3月，規模20億元，截止2021年末，已完成了20多個項目的投資。過去的一年，半導體產業依然在挑戰中前行。後疫情時代、產能緊張、地緣政治等因素仍深刻地影響着全球半導體產業鏈及生態，但張江浩珩依舊交出了一份優異的投資成績單。「在過去一年多的時間裡，公司投資的項目已超過30個，其中有多個已完成了後續輪融資，有4到5個項目正籌備在1-2年內上市。」王文捷總結到。在火熱的半導體賽道，張江浩珩已投資了16個項目。其中，張江浩珩投資的概倫電子已經作為國內EDA第一股，在科創板上市。除此之外，張江浩珩還投資了南芯半導體、登臨科技、芯攝達、芯馳科技、黑芝麻智能、特納飛、博流智能、旋智電子等發展潛力巨大的企業，覆蓋AI加速芯片、圖像傳感器、車規芯片、存儲控制芯片、電機控制芯片等多個半導體應用領域。王文捷認為：「2021年複雜的產業形勢和國際形勢給國內半導體產業帶來了不小的挑戰，與此同時，也給半導體產業鏈中的『卡脖子』技術帶來了相當大的機遇。所幸，在這方面，張江浩珩一直有在進行深入的布局。」「年度最佳產業投資機構獎」 旨在表彰本年度在產業賦能和協同發展方面表現優異的產業投資機構。在眾多投資機構中，張江浩珩又憑藉哪些優勢得以脫穎而出？王文捷表示：「張江浩珩主要有三大優勢。一是擁有豐富的投資項目資源，張江浩珩依託張江科學城豐富的產業生態，有着明顯的區位優勢。張江科學城的創業要素集聚，科學特徵明顯，產業鏈條完備，尤其集成電路和生物醫藥產業擁有全國最完備的產業基礎和創業生態；二是與張江高科的創業環境形成良性循環，藉助張江高科的招商體系、895創業營以及孵化器等平台，可以有效地接觸到高質量的項目源；三是能夠利用張江的生態圈資源做好各項投後服務，比如人才引入、政策對接、空間資源等，為企業的發展提供助力。」談及未來的規劃，王文捷表示，張江浩珩將繼續堅守集成電路、生物醫藥及醫療器械、信息技術、智能製造四大投資主線。並將從兩方面出發進行投資判斷：一是藉助張江的產業優勢，基於對產業發展的大邏輯和新技術的預判，做一些早期項目的布局；二是根據商業最本質的邏輯來判斷業務前景，進一步將技術和應用場景結合起來。「當然，我們在堅守張江陣地的同時，會向外輻射投資能級，也會在已投項目的上下游產業鏈中，尋找有高度產業協同性的項目。希望通過2020-2022年這三年的努力，可以初步形成立足張江、深耕產業、腳踏實地的投資風格。」王文捷提到。集微諮詢根據披露信息統計，2020年獲得新一輪融資的國內芯片、半導體企業超200家，融資規模或超320億元。而僅僅在2021年上半年，國內芯片、半導體行業融資事件數量就已超230起，有超220家企業獲得融資，總融資規模近400億元 。那麼，當前國內半導體項目估值是否存在過高的現象？優質的項目基本都已經有深厚的產業資本背景，其餘機構或沒有產業背景的基金應該如何投資？對此，王文捷認為：「一級市場上芯片企業的融資事件和融資規模，已經幾倍於原有的規模，各個行業的資本都在紛紛殺入半導體融資圈。但是應該看到，集成電路投融資目前的供需關係，並不全是項目真實價值的有效體現。在融資熱的背後，投資人需要冷靜地了解企業的團隊實力、市場空間、技術路徑和合作生態等，畢竟最終企業還是需要用業績來證明實力，尤其對於早中期的投資，長達5年以上的投資周期，需要預計到未來潮水退去之後，企業的產品實力是否可以支撐起目前這麼高的估值。」展望未來，張江浩珩表示，未來將持續加大對半導體產業的投資力度，以增強我國半導體產業的競爭力，迎接下一個「黃金十年」的到來！6.華勤技術東莞第二製造中心開園，智能製造再添新載體；2月24日，華勤技術東莞第二製造中心項目在廣東東莞東坑鎮舉行開園儀式。東莞市委副書記、松山湖高新區黨工委書記劉煒，東坑鎮委書記譚全河等相關領導出席並作致辭。華勤技術董事長兼CEO邱文生攜公司管理層出席並接待。△ 華勤技術數據事業群總經理、高級副總裁鄧治國致辭△ 東莞市委副書記、松山湖高新區黨工委書記劉煒致辭東莞第二製造中心是華勤技術繼東莞第一製造中心、東莞研發中心後的又一重要布局。項目總占地超260畝，總建築面積近50萬平方米，已於去年年底逐步分批交付使用。全部建成後，預計可吸引帶動高端製造等相關就業近15000人，主要聚焦在服務器、移動終端等智能產品領域，與東莞第一製造中心互為補充，全面提升華勤在服務器及移動終端領域的製造能力。未來，華勤技術將藉助東莞電子信息產業發展的快車道，以位於松山湖的東莞研發中心和東莞三個製造中心相互促進、互為協同，全力提升華勤在智能終端領域的核心競爭力，為完善華勤的智能硬件平台添磚加瓦。同時，華勤技術作為中國智造產業的孵化器、典型的「鏈主型」企業，不斷加碼在東莞的投資還將有效吸引上游核心供應商共同落戶東莞，形成虹吸效應，實現全產業鏈的導入，帶動東莞電子信息產業鏈的再升級。更多新聞請點擊進入愛集微小程序閱讀
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